濺射現象sputtering phenomenon用具有一定能量的離子束或中性原子束轟擊固體,會引起固體表面分子、原子或原子團的次級發射的現象。濺射出的粒子多為中性粒子或分子,少部分為帶正、負電荷的離子,稱為次級離子。描述濺射現象的主要參量是濺射閥能、濺射產率和濺射速度。濺射閥能定義為:開始出現濺射時初級離子的能量。對普通金屬而言,濺射閥能約為10一3UeV濺射產率定義為:一個一次離子所濺射出的二次粒子(中性粒子和次級離子)的總數。濺射速度定義為:單位時間裁射的深度。濺射主要用於固體表面分析和進行深度剖面分析。如在氣次離子質譜法(SIMS)中提供次級離子或在濺射中性粒子質譜法(SNMS)中提俠中性粒子也常用於清沽固體表面。
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濺射
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Dota濺射 技術套用 -
濺射工藝
濺射工藝是以一定能量的粒子(離子或中性原子、分子)轟擊固體表面,使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝。濺射只能在一定的真空狀態下進行。
定義 原理 參考書目 -
陰極濺射
當真空室內的真空度為13Pa時,在陰陽兩電極之間加上一定的電壓,氣體就會發生自激放電,從陰極發射出的原子或原子團可沉積在陽極或真空室的壁上。這種濺射就稱...
濺射和輝光放電 陰極濺射 -
濺射方法
濺射方法是一種利用濺射原理及技術處理加工材料表面的現代技術方法。濺射,也稱陰極濺射,其基本原理是:在直流或射頻高壓電場的作用下利用形成的離子流轟擊陰極靶...
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濺射鍍
濺射鍍 sputtering depositsnn 用荷能粒子(通常為氣體止離子)轟擊靶材,使靶材表面部分原子逸出的現象r.若把零件放在靶材附近酌適當位置上,則從靶材飛出的原子便會沉積到零件表面而形成鍍層。它特另...
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真空磁控濺射技術
原理濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產生的電漿在電場的作用下,對陰極靶材表面進行轟擊,把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來,被濺射出來的粒子帶有一定的動能,沿一定的方向射向基體表面,在基體表面形成...
原理 特點 分類 方法 存在問題 -
薄膜技術與薄膜材料
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薄膜技術與薄膜材料[2011年清華大學出版社出版圖書]
油封機械泵202.1.2 擴散泵242.1.3 吸附泵292.1.4 濺射...鍍裝置及操作1786.6 合金膜的蒸鍍1796.6.1 合金蒸發分餾現象...2237.4.3 動態混合223習題225第8章 濺射鍍膜2278.1...
圖書信息 內容簡介 目錄 -
ITO薄膜
的光穿透率極低。同時近紅外區由於載流子的電漿振動現象而產生反射,所以近...、濺射電壓和成膜的條件等因素。所以從ITO薄膜的製備工藝上來講,ITO...與製備ITO薄膜時的工藝條件(包括沉積時的基片溫度、濺射電壓等)有關。有大量...
概述 發展 基本性能 主要套用 在國內的發展