濺射方法

濺射方法是一種利用濺射原理及技術處理加工材料表面的現代技術方法。濺射，也稱陰極濺射，其基本原理是：在直流或射頻高壓電場的作用下利用形成的離子流轟擊陰極靶材料表面，使離子的動能和動量轉移給固體表面的原子，因化學鍵斷裂而飛出(或稱飛濺)。通常採用的轟擊離子是隋性氣體氬受高壓電場的作用而電離，並形成具有一定功能的離子流。陰極靶材料，可以是金屬、合金或非金屬元素，視需要而定。

其具體方法有：直流濺射法、射頻濺射法、二元濺射法和反應濺射法。該法的優點是：①能在較低溫度和真空系統中進行，有利於嚴格控制各種成分，防止雜質污染。②在製備合金薄膜或化合物薄膜時，可保持原組分不變。③既可直接利用濺射現象對固體材料表面進行精細刻蝕，又可在選定的固體材料上製造各種薄膜。如半導體薄膜、金屬薄膜、化合物薄膜等。制膜的基體材料有半導體晶片、玻璃、塑膠及陶瓷片等。使從陰極濺出的原子或分子沉積在這些基體材料上即可形成所需要的薄膜材料。所以該法在電子工業中，尤其在製造半導體器件和大規模積體電路中受到人們的重視。