學歷介紹
1964-1970年清華大學工程物理系工程物理專業
1978-1981年 清華大學核能技術研究所新材料專業，助教，碩士研究生
1986-1987年 清華大學工程物理系和核能技術研究所，核材料專業，博士
工作經歷
1971-1975年 清華大學核能技術研究所材料研究室，教師，特殊焊接班副班長兼擴散焊接課題組長；
1975-1976年 清華大學核能技術研究所材料研究室，焊接和腐蝕班負責人
1976-1981年 清華大學核能技術研究所材料研究室，性能測試班班長，助教
1981-1987年 清華大學核能技術研究所材料研究室，講師，半導體材料中子摻雜課題組副組長
1987-1990年 清華大學核能技術研究所半導體和陶瓷材料課題組長，室主任，副教授
1992-1993年 國家科委工業科技司
1995－2003 清華大學核能技術設計研究院，教授，室主任，博士生導師
2004－至今 清華大學核能技術設計研究院，教授，博士生導師
研究工作
研究方向：材料科學，半導體材料工藝和性能，半導體物理和套用物理，材料和器件的輻照損傷和缺陷
1978-現在：從事核材料、半導體材料和器件等的輻照效應研究；
1970-1978：材料性能測試、特殊焊接、腐蝕。
文章著述
已先後在國內外雜誌和會議上上發表學術論文130多篇， 其中列入 SC1 的30多篇、EI的 30多篇
1 Hydrogen-defect shallow donors in Si，Xiang-Ti Meng, Ai-Guo Kang and Shou-Ren Bai, Jpn. J. Appl. Phys. ,V40, Part 1, No.4A(2001) 2123-2126 SCI
2 Performance Analysis of Gamma-ray Irradiated Color Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Digital Image Sensors, 康愛國 孟祥提 劉井泉尤政, Jpn. J. Appl. Phys. , Part 1, Vol. 42, No. 4A (2003) 1753-1756 SCI
3 Dark Output Characteristic of Gamma-ray Irradiated CMOS Digital Image Sensors, 孟祥提 康愛國, RARE METALS 21-1 (2002)p.79 SCI (網路版)
4 Degradation of B&W CMOS digital image sensor by Gamma-irradiation，孟祥提 康愛國 尤政，Jpn. J. Appl. Phys. Vol.41 No.8B (2002) pp.L919 - L921 SCI
5 Gamma-ray radiation and annealing effects on colour CMOS image sensors，孟祥提 康愛國 王醒宇 尤政, Semiconductor Science and Technology, 18-1(2003) L1-L3 SCI
6 Difference in electron- and gamma-irradiation effects on output characteristic of color CMOS digital image sensors，孟祥提康愛國張喜民李繼紅黃強李鳳梅 劉曉光周宏余，Rare Metals 已經接受發表 SCI (網路版)
7 Effects of electron and gamma-ray irradiation on CMOS analog image sensors， 孟祥提 康愛國 李繼紅張海雲於世潔 尤政，Microelectronics Reliability, 43-7(2003) 1151-1155 SCI
8 SiGe HBT和Si BJT直流電學性能與γ射線輻照劑量的關係，康愛國 孟祥提 王吉林 賈宏勇陳培毅錢佩信, 半導體技術，No. 12( 2002)68-71 核心刊物
9 γ射線輻照對SiGe HBT直流電學性能的影響, 孟祥提 王吉林 陳培毅,第7屆全國抗輻射電子學與電磁脈衝學術交流會(2002-10-27，重慶)論文集，2001-11, p.139-142
10 一些MEMS套用器件粒子輻照效應研究綜述, 康愛國 孟祥提,第7屆全國抗輻射電子學與電磁脈衝學術交流會(2002-10-27，重慶)論文集，2001-11, p.134-138
11 Comparison of neutron irradiation effects on electrical performances of SiGe HBT and Si BJT, 孟祥提 王瑞偏 康愛國, 王吉林 賈宏勇 陳培毅 錢佩信, RARE METALS Vol. 22, N.1 (2003) p.69-74 SCI (網路版)
12 Effects of Neutron Irradiation on SiGe HBT and Si BJT Devices, 孟祥提 楊宏偉 康愛國, 王吉林 賈宏勇 陳培毅 錢佩信,J Mat. Sci.: Mat. In electronics, 14-4(2003)199-203 SCI
13 The dependence of the DC electrical performance of SiGe HBT and Si BJT on γ-ray irradiation dose, 孟祥提 康愛國 郭吉林, Phys. Scripta, ―已經接受發表 SCI
14 Electron irradiation effects on DC electrical performances of SiGe HBT in a comparison with Si BJT,孟祥提張喜民王吉林黃文韜陳培毅 賈宏勇 錢佩信,Rare Metals ―已經接受發表 SCI (網路版)
15 Comparison of electron irritated SiGe HBT and Si BJT－電子輻照SiGe HBT和Si BJT直流特性分析, 黃文韜 王吉林 劉志農 陳長春 張磊 陳培毅 孟詳提 錢佩信,材料科學與技術學報(JMST)，2003 已經接受發表 SCI (網路版)，EI
16 Effects of hydrogen on annealing behavior of neutron-radiation-induced defects in Si， X. T. Meng, A. Zecca, R. Brusa, W. Puff Phys. Rev. B Vol. 50, No. (1994) 2657-2660. SCI CDE PA 187
17 Interaction of hydrogen with neutron-induced vacancy defects in Si,Meng Xiang-ti，Solid State Commun, 90-7 (1994) 455-460. SCI CDE NK 619 ; EIP 94071332625
18 Vacancy-type defects in large-dose neutron-irradiated silicon containing hydrogen， Meng Xiang-ti， Phil. Mag. B 70-4 (1994) 905-911. SCI CDE PK 484
19 Positron annihilation study of silicon irradiated by different neutron doses， Meng X T and Puff WJ. Phys. Conden. Matters 6-26 (1994)4971-4980， SCI CDE NV 173; EIP 94091387061， INSPEC (94)4734280 A9418-6180H-002
20 Annealing behaviour of defects in neutron-transmutation- doped floating zone Si， Meng Xiang-tiJapan. J. Appl. Phys. 33-5A part 1 (1994) 2444-7. SCI CDE NU 126; EIP 95012508713
21 Defects and their specific trapping rates in neutron-irradiated Si,Meng Xiang-ti, Physica Scripta 50-4 (1994) 419-422. SCI CDE PM 390; EI ISSN:0031-8949 CODEN:PHSTBO
22 Hydrogen-induced defects in neutron-irradiated silicon,Meng Xiang-ti， Phys. Lett. A 189-5 (1994) 383-389. SCI CDE NU 230; EI ISSN:0721-7250 CODEN: APAMFC
