塞貝爾效應

1821年，德國科學家塞貝克（Seebeck）發現在兩種不同金屬的連線，若將連線的一結點置於高溫狀態T2（熱端），而另一端處於開路且處於低溫狀態T1冷端，則在冷端存在開路電壓ΔV，此種現象被稱為塞貝爾效應。

英文名稱：Seebeck effect

Seebeck電壓ΔV與熱冷兩端的溫度差ΔT成正比，即

ΔV=kΔT=k(T2- T1)

其中k是塞貝克參數，由材料本身的電子能帶結構決定的。半導體由於具備優異的熱電性能，成為製作賽貝爾效應模組的首選材料。從套用的角度講，決定一種半導體熱電材料的優劣不能僅憑其塞貝克參數的大小，還必須綜合考慮其電導率，熱導率等諸多因素。