內容簡介
《半導體薄膜技術與物理》全面系統地介紹了半導體薄膜的各種製備技術及其相關的物理基礎。全書共分十章。第一章概述了真空技術，第二至第八章分別介紹了蒸發、濺射、化學氣相沉積、脈衝雷射沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的製備技術。
《半導體薄膜技術與物理》文字敘述上力求做到深入淺出，內容上深度和寬度相結合，理論和實踐相結合，以半導體薄膜技術為重點，結合半導體材料和器件的性能介紹，同時還介紹了半導體薄膜技術與物理領域的新概念、新進展、新成果和新技術。《半導體薄膜技術與物理》具有內容翔實、概念清楚、圖文並茂的特點。
《半導體薄膜技術與物理》讀者對象廣泛，可作為高等院校材料、物理、電子、化學等學科的研究生或高年級本科生的半導體薄膜技術課程的教材，也可作為從事半導體材料、薄膜材料、光電器件等領域的科研人員、工程技術人員的參考書籍。
作者簡介
葉志鎮，男，1955年5月生於浙江溫州。1987年獲浙江大學光儀系工學博士學位；畢業後留校工作，1990～1992年留學美國麻省理工學院（MIT）；1994年晉升為教授；1996年選為博導。現為浙江大學材料與化學工程學院副院長、浙江大學納米中心主任。 1988年進入浙江大學材料系，在矽材料國家重點實驗室一直從事半導體薄膜教學科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料製備、物性調控及光電套用；納米薄層材料高真空CVD技術研發及套用。現兼任國家自然科學基金委信息科學部評審組成員，全國電子材料專委副主任，全國半導體與集成技術、半導體材料和半導體物理專委委員等。
圖書目錄
第1章 真空技術
第2章 蒸發技術
第3章 濺射技術
第4章 化學氣相沉積
第5章 脈衝雷射沉積
第6章 分子束外延
第7章 液相外延
第8章 濕化學製備方法
第9章 半導體超晶格和量子阱
第10章 半導體器件製備技術
參考文獻
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