半導體超晶格

半導體超晶格（semicon 多層薄膜的周期可以在生長時人為控制，因而得到了人造的晶體結構即超晶格。 多層薄膜中各層的組分突變的超晶格稱為組分調製超晶格；各層摻雜原子型號發生突變的超晶格稱摻雜調製超晶格。

半導體物理釋義

半導體超晶格（semiconductor superlattice）
由一組多層薄膜周期重複排列而成的單晶。

物理擴展釋義

多層薄膜中各層厚度從幾個到幾十個原子層範圍。各層的主要半導體性質如帶隙和摻雜水平可以獨立地控制。多層薄膜的周期可以在生長時人為控制，因而得到了人造的晶體結構即超晶格。多層薄膜中各層的組分突變的超晶格稱為組分調製超晶格；各層摻雜原子型號發生突變的超晶格稱摻雜調製超晶格。組分調製超晶格的能帶圖與多量子阱類似，惟一的區別是超晶格中由於勢壘層厚度小於電子的德布羅意（de Broglie）波長，相鄰勢阱中的電子波函式發生交疊，因而多量子阱的離散能級將展變為能帶，其能頻寬度及位置與勢阱深度、寬度及勢壘厚度有關。超晶格具有一些普通半導體中沒有發現的有用性質。