傳質單元高度
正文
在逆流操作的微分接觸傳質設備中,使濃度變化達到傳質單元數為 1所需的設備接觸傳質段高度。傳質單元高度綜合反映了設備的傳質特性,可根據兩相的流量和傳質總係數分別用下式計算: 式中(HTU)和(HTU)分別為用x相和y相參數表示的傳質單元高度;Cx和Cy分別為兩相的摩爾流率;KOx和KOy分別為以x相摩爾分率差和y相摩爾分率差為推動力的兩相的傳質總係數;α為比表面積,即單位設備體積的傳質面積。傳質單元高度的概念,廣泛套用於吸收、萃取和精餾等的設計計算中。已知傳質單元高度和傳質單元數,其乘積即為完成給定分離任務所需的設備接觸傳質段高度。兩相流速有變化時,傳質係數的變化較大,傳質單元高度的變化較小。因此,在逆流操作的微分接觸傳質設備的放大設計時,採用傳質單元高度的計算方法,較為方便和可靠。傳質單元高度由實驗測定,它與設備結構、物系性質以及兩相流速等因素有關,變動範圍很大。吸收用的填充塔,其傳質單元高度多為0.5~1.5m,用於精密精餾的填充塔或膜式塔,其傳質單元高度較小,有的僅為幾厘米。