對於半導體矽,通過熱中子的輻照,可使部分的Si同位素原子轉變為磷(P)原子[14Si31的半衰期為2.62小時]: 14Si30+ 中子 → 14Si31+γ射線 →→ 15P31+β射線;從而在Si中出現了施主磷而使Si成為了n型。
對於Ge,通過熱中子的輻照,可使含量超過95%的同位素32Ge70原子轉變為受主31Ga71,從而可使Ge成為p型半導體。
由於同位素原子在晶體中的分布是非常均勻的,而且中子在矽中的穿透深度又很大[≈100cm],所以這種n型Si和p型Ge的摻雜非常均勻。這對於大功率半導體器件和輻射探測器件的製作是很有用的。
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