中子輻照技術

中子輻照（n ）技術就是利用熱中子去照射材料、使其性能發生變化的一種技術。 例如，Si的中子嬗變摻雜，就是利用中子輻照來實現非常均勻的n

中子輻照（neutron irradiation）技術就是利用熱中子去照射材料、使其性能發生變化的一種技術。
對於半導體（例如矽）晶體材料的中子輻照，所產生的效果主要是在晶體中通過彈性碰撞而形成間隙原子和空位等缺陷；所造成的後果，主要是在禁帶中央附近產生一個受主能級，並從而降低少數載流子壽命，同時也將要影響到半導體器件的其他性能（例如穩定性、可靠性）。
如果在中子輻照中出現了非彈性碰撞（高能量的熱中子即有可能），即中子能量被一些晶體原子吸收，就會發生核反應，可使一種原子轉變為另外一種原子。例如，Si的中子嬗變摻雜，就是利用中子輻照來實現非常均勻的n型摻雜的。