中國科學院半導體研究所半導體集成技術工程研究中心

根據國家、中國科學院和半導體所的發展戰略需要，2002年開始籌建綜合性半導體工藝技術加工平台——半導體集成技術工程研究中心（以下簡稱中心）。中心擁有配套齊全的先進工藝平台、1700m2的超淨工藝線和1100m2的辦公用房，於2004年12月完成並投入使用。中心建立了規範的人員、服務和設備管理體系，具備了微納電子學、光電子學以及微電子機械器件的集成加工及測試表征能力，對研究所科研目標的凝練、國家級重大和重點項目的申請和完成、人才培養和交流起到了關鍵的支撐作用。中心主任為楊富華研究員，副主任為季安研究員。
中心具有的關鍵工藝和測試設備：電子束光刻設備、MA6/BA6雙面光刻機和EVG光刻機；分別用於矽、氧化矽、金屬和III-V族半導體材料刻蝕的感應耦合電漿（ICP）刻蝕設備；電子束金屬蒸發設備、離子束濺射鍍膜設備、磁控濺射設備、等離子增強化學氣相澱積系統（PECVD）、低壓增強化學氣相澱積系統（LPCVD）；離子注入系統、氧化及合金設備、晶片鍵合設備；光波導器件自動對準耦合測試系統、分光光度計、台階儀、低溫微波探針台、網路分析儀、半導體參數測試儀、MEMS可靠性及頻譜特性測試設備、太陽能電池測試儀器等。
中心是一個完全開放的科技基礎條件平台，不僅為所內外科研人員提供技術和設備諮詢服務，還進行單項和集成工藝技術服務以及科研項目合作研究。此外，還加入以下公共技術服務聯合平台：中國科學院所級公共技術服務中心平台、中國科學院知識創新工程基地納米器件平台、北京納米科學大型儀器區域中心、首都科技條件平台中國科學院研發實驗服務基地等院級以及國家級公共技術服務平台，為國內相關科研人員提供了有力的設備和技術支撐。主要設備儀器的利用率達到80%以上，共享率達到50%以上。
2006年8月28日路甬祥院長視察半導體所時指出：“半導體所的優勢是在光電子與微電子的結合，要進一步提升自主創新能力和集成技術水平，努力加強科技平台建設。半導體所完成了半導體集成技術工程中心的建設，經過兩年的發展該中心已具備了歐洲同類研究中心的中上水平，設備完備程度和基本的環境不錯，而且主要靠研究所自己的經費建成，形成了較強的競爭優勢，提升了核心競爭力，為三期創新奠定了較好的基礎。下一步中心平台要向全院、全國開放,為國家的科技創新作出更大貢獻。中心平台的建成也說明半導體所的領導班子有較強的判斷力和前瞻意識，有比較強的統籌決策能力，也說明半導體所全體同志對領導班子正確決策積極地給予支持。”
半導體集成技術工程研究中心的主要任務：不斷提高半導體工藝技術的水平和能力，滿足研究所發展的科學技術需求；重點開發國家重大戰略需求和國民經濟發展需求的關鍵信息技術，促進研究所的快速發展；重點攻克具有潛在市場價值科研成果的關鍵和可靠性技術，促進成果的快速轉化；面向所內外開放，建成國際一流的人才培養、研發及合作交流中心。