內容簡介
本書系統地講述了矽集成電路製造的基礎工藝,重點放在工藝物理基礎和基本原理上。全書共十章,其中第一章簡單地講述了矽的晶體結構,第二章到第九章分別講述了矽積體電路製造中的基本單項工藝,包括氧化、擴散、離子注入、物理氣相澱積、化學氣相澱積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連,最後一章講述的是工藝集成。
《矽積體電路工藝基礎》一書是為微電子專業本科生所編寫的、內容涉及矽積體電路製造工藝的教材,也可作為從事積體電路研發和生產的科技人員的參考書。本書是根據作者多年教學經驗並結合當今積體電路製造中新技術及新工藝編寫而成的。
目錄
前言第一章矽的晶體結構
1.1矽晶體結構的特點
1.1.1晶胞
1.1.2原子密度
1.1.3共價四面體
1.1.4晶體內部的空隙
1.2晶向、晶面和堆積模型
1.2.1晶向
1.2.2晶面
1.2.3堆積模型圖
1.2.4雙層密排面
1.3矽晶體中的缺陷
1.3.1點缺陷
1.3.2線缺陷