基本信息
作 者： 王蔚 編
出 版 社： 電子工業出版社
ISBN： 9787121117510
出版時間： 2010-09-01
版 次： 1
頁 數： 395
裝 幀： 平裝
開 本： 16開
所屬分類： 圖書>科技>電子與通信
內容簡介
《積體電路製造技術：原理與工藝》是哈爾濱工業大學“國家積體電路人才培養基地”教學建設成果，系統地介紹了矽積體電路製造當前普遍採用的工藝技術，全書分5個單元。第1單元介紹矽襯底，主要介紹矽單晶的結構特點，單晶矽錠的拉制及矽片（包含體矽片和外延矽片）的製造工藝及相關理論。第2～5單元介紹矽晶片製造基本單項工藝（氧化與摻雜、薄膜製備、光刻、工藝集成與封裝測試）的原理、方法、設備，以及所依託的技術基礎及發展趨勢。附錄A介紹以製作雙極型電晶體為例的微電子生產實習，雙極型電晶體的全部工藝步驟與檢測技術；附錄B介紹工藝模擬知識和SUPREM軟體。附錄部分可幫助學生從理論走向生產實踐，對微電子產品製造技術的原理與工藝全過程有更深入的了解。 《積體電路製造技術：原理與工藝》可作為普通高校電子科學與技術、微電子學與固體電子學、微電子技術、積體電路設計及集成系統等專業的專業課教材，也可作為積體電路晶片製造企業工程技術人員的參考書。
圖書目錄
第0章 緒論
0.1 何謂積體電路工藝
0.2 積體電路製造技術發展歷程
0.3 積體電路製造技術特點
0.4 本書內容結構
第1單元 矽襯底
第1章 單晶矽特性
1.1 矽晶體的結構特點
1.2 矽晶體缺陷
1.3 矽晶體中的雜質
本章 小結
第2章 矽片的製備
2.1 多晶矽的製備
2.2 單晶矽生長
2.3 切制矽片
本章 小結
第3章 外延
3.1 概述
3.2 氣相外延
3.3 分子束外延
3.4 其他外延方法
3.5 外延缺陷與外延層檢測
本章 小結
單元習題
第2單元 氧化與摻雜
第4章 熱氧化
4.1 二氧化矽薄膜概述
4.2 矽的熱氧化
4.3 初始氧化階段及薄氧化層製備
4.4 熱氧化過程中雜質的再分布
4.5 氧化層的質量及檢測
4.6 其他氧化方法
本章 小結
第5章 擴散
5.1 擴散機構
5.2 晶體中擴散的基本特點與巨觀動力學方程
5.3 雜質的擴散摻雜
5.4 熱擴散工藝中影響雜質分布的其他因素
5.5 擴散工藝條件與方法
5.6 擴散工藝質量與檢測
5.7 擴散工藝的發展
本章 小結
第6章 離子注入
6.1 概述
6.2 離子注入原理
6.3 注入離子在靶中的分布
6.4 注入損傷
6.5 退火
6.6 離子注入設備與工藝
6.7 離子注入的其他套用
6.8 離子注入與熱擴散比較及摻雜新技術
本章 小結
單元習題
第3單元 薄膜製備
第7章 化學氣相澱積
7.1 CVD概述
7.2 CVD工藝原理
7.3 CVD工藝方法
7.4 二氧化矽薄膜的澱積
7.5 氮化矽薄膜澱積
7.6 多晶矽薄膜的澱積
7.7 CVD金屬及金屬化合物薄膜
本章 小結
第8章 物理氣相澱積
8.1 PVD概述
8.2 真空系統及真空的獲得
8.3 真空蒸鍍
8.4 濺射
8.5 PVD金屬及化合物薄膜
本章 小結
單元習題
第4單元 光刻
第9章 光刻工藝
9.1 概述
9.2 基本光刻工藝流程
9.3 光刻技術中的常見問題
本章 小結
第10章 光刻技術
10.1 光刻掩膜版的製造
10.2 光刻膠
10.3 光學解析度增強技術
10.4 紫外光曝光技術
10.5 其他曝光技術
10.6 光刻設備
本章 小結
第11章 刻蝕技術
11.1 概述
11.2 濕法刻蝕
11.3 乾法刻蝕
11.4 刻蝕技術新進展
本章 小結
單元習題
第5單元 工藝集成與封裝測試
第12章 工藝集成
12.1 金屬化與多層互連
12.2 CMOS積體電路工藝
12.3 雙極型積體電路工藝
本章 小結
第13章 工藝監控
13.1 概述
13.2 實時監控
13.3 工藝檢測片
13.4 集成結構測試圖形
本章 小結
第14章 封裝與測試
14.1 晶片封裝技術
14.2 積體電路測試技術
本章 小結
單元習題
附錄A 微電子器件製造生產實習
A.1 矽片電阻率測量
A.2 矽片清洗
A.3 一次氧化
A.4 氧化層厚度測量
A.5 光刻腐蝕基區
A.6 硼擴散
A.7 pn結結深測量
A.8 光刻腐蝕發射區
A.9 磷擴散
A.10 光刻引線孔
A.11 真空鍍鋁
A.12 反刻鋁
A.13 合金化
A.14 中測
A.15 劃片
A.16上架燒結
A.17 壓焊
A.18 封帽
A.19 電晶體電學特性測量
附錄B SUPREM模擬
B.1 SUPREM軟體簡介
B.2 氧化工藝
B.3 擴散工藝
B.4 離子注入
參考文獻
