基本信息
出版社: 電子工業出版社; 第1版 (2011年3月1日)
叢書名: 電子信息與電氣學科規劃教材·電子科學與技術專業
平裝: 220頁
正文語種: 簡體中文
開本: 16
ISBN: 7121120224, 9787121120220
條形碼: 9787121120220
產品尺寸及重量: 25.6 x 18.2 x 1 cm ; 340 g
ASIN: B004RPEBHC
內容簡介
《積體電路製程設計與工藝仿真》介紹當代積體電路設計的系統級前端、布局布線後端及工藝實現三大環節所構成的整體技術的發展，重點著眼於積體電路工藝過程的計算機仿真和計算機輔助設計，以及具體的工具軟體和系統的使用。全書共12章，主要內容包括：常規集成平面工藝、集成工藝原理概要、超大規模集成工藝、一維工藝仿真綜述、工藝仿真互動設定、工藝仿真模型設定、工藝仿真模擬精度、一維工藝仿真實例、集成工藝二維仿真、二維工藝仿真實現、現代可製造性設計、可製造性設計理念，並提供電子課件和習題解答。
目錄緒論 （1）
0-1 半導體及半導體工業的起源 （2）
0-2 半導體工業的發展規律 （3）
0-3 半導體技術向微電子技術的發展 （5）
0-4 當代微電子技術的發展特徵 （7）
本章小結 （8）
習題 （8）
第1章 半導體材料及製備 （9）
1.1 半導體材料及半導體材料的特性 （9）
1.1.1 半導體材料的特徵與屬性 （10）
1.1.2 半導體材料矽的結構特徵 （10）
1.2 半導體材料的冶煉及單晶製備 （11）
1.3 半導體矽材料的提純技術 （13）
1.3.1 精餾提純SiCl4技術及其提純裝置 （13）
1.3.2 精餾提純SiCl4的基本原理 （14）
1.4 半導體單晶材料的製備 （15）
1.5 半導體單晶製備過程中的晶體缺陷 （17）
本章小結 （19）
習題 （20）
第2章 集成工藝及原理 （21）
2.1 常規積體電路製造技術基礎 （21）
2.1.1 常規雙極性電晶體的工藝結構 （21）
2.1.2 常規雙極性電晶體平面工藝流程 （23）
2.1.3 常規PN結隔離積體電路平面工藝流程 （24）
2.2 外延生長技術 （25）
2.3 常規矽氣相外延生長過程的動力學原理 （27）
2.4 氧化介質製備技術 （31）
2.5 半導體高溫摻雜技術 （35）
2.6 常規高溫熱擴散的數學描述 （39）
2.6.1 恆定表面源擴散問題的數學分析 （40）
2.6.2 有限表面源擴散問題的數學分析 （41）
2.7 雜質熱擴散及熱遷移工藝模型 （42）
2.8 離子注入低溫摻雜技術 （44）
本章小結 （47）
習題 （48）
第3章 超大規模集成工藝 （50）
3.1 當代微電子技術的技術進步 （50）
3.2 當代超深亞微米級層次的技術特徵 （51）
3.3 超深亞微米層次下的小尺寸效應 （51）
3.4 典型超深亞微米CMOS製造工藝 （53）
3.5 超深亞微米CMOS工藝技術模組簡介 （57）
本章小結 （65）
習題 （66）
第4章 一維工藝仿真綜述 （67）
4.1 積體電路工藝仿真技術 （69）
4.2 一維工藝仿真系統
SUPREM-2 （70）
4.3 SUPREM-2的建模 （72）
本章小結 （74）
習題 （75）
第5章 工藝仿真互動設定 （77）
5.1 SUPREM-2工藝仿真輸入卡的設定規範 （77）
5.2 SUPREM-2工藝模擬卡的卡序設定 （78）
5.3 SUPREM-2仿真系統的卡語句設定 （79）
5.4 輸出/輸入類卡語句的設定 （81）
5.5 工藝步驟類卡語句的設定 （83）
5.6 工藝模型類卡語句的設定 （86）
本章小結 （87）
習題 （88）
第6章 工藝模擬系統模型設定 （89）
6.1 系統模型的類型及參數分類 （89）
6.1.1 元素模型 （89）
6.1.2 氧化模型 （90）
6.1.3 外延模型 （91）
6.1.4 特殊用途模型 （91）
6.2 SUPREM-2工藝模擬系統所設定的默認參數值 （92）
本章小結 （94）
習題 （94）
第7章 工藝模擬精度的調試 （95）
7.1 工藝模擬輸入卡模型修改語句 （95）
7.2 工藝模擬精度的調試實驗 （95）
7.2.1 工藝模擬精度調試實驗的設定 （95）
7.2.2 工藝模擬精度調試實驗舉例 （96）
本章小結 （100）
習題 （100）
第8章 一維工藝仿真實例 （102）
8.1 縱向NPN管芯工序全工藝模擬 （102）
8.1.1 工藝製程與模擬卡段的對應描述 （102）
8.1.2 縱向NPN工藝製程的標準模擬卡檔案 （107）
8.1.3 縱向NPN工藝製程模擬的標準輸出 （110）
8.2 pmos結構柵氧工藝模擬實例 （110）
8.3 典型的NPN分立三極體工藝模擬 （114）
8.4 PMOS場效應器件源漏擴散模擬 （114）
8.5 可製造性設計實例一 （115）
8.6 可製造性設計實例二 （116）
8.7 可製造性設計實例三 （117）
8.8 可製造性設計實例四 （119）
本章小結 （120）
習題 （120）
第9章 積體電路工藝二維仿真 （122）
9.1 積體電路工藝二維仿真系統 （122）
9.1.1 TSUPREM-4系統概述 （122）
9.1.2 TSUPREM-4仿真系統剖析 （123）
9.1.3 TSUPREM-4採用的數值算法 （125）
9.2 TSUPREM-4仿真系統的運行 （126）
9.3 TSUPREM-4仿真系統的
人機互動語言 （126）
本章小結 （132）
習題 （133）
第10章 二維工藝仿真實例 （134）
10.1 二維選擇性定域刻蝕的實現 （134）
本章小結 （149）
習題 （149）
第11章 可製造性設計工具 （151）
11.1 新一代集成工藝仿真
系統Sentaurus Process （152）
11.1.1 Sentaurus Process簡介 （152）
11.1.2 Sentaurus Process的安裝及啟動 （153）
11.1.3 創建Sentaurus Process批處理卡命令檔案 （153）
11.1.4 Sentaurus Process批處理檔案執行的主要命令語句 （154）
11.1.5 Sentaurus Process所設定的檔案類型 （157）
11.2 Sentaurus Process的仿真功能及互動工具 （158）
11.2.1 Sentaurus Process的仿真領域 （158）
11.2.2 Sentaurus Process提供的資料庫瀏覽器 （159）
11.2.3 Sentaurus Process圖形輸出結果調閱工具 （160）
11.3 Sentaurus Process所收入的近代模型 （161）
11.3.1 Sentaurus Process中的離子注入模型 （162）
11.3.2 Sentaurus Process中的小尺寸擴散模型 （163）
11.3.3 Sentaurus Process對局部微機械應力變化描述的建模 （163）
11.3.4 Sentaurus Process中基於原子動力學的蒙特卡羅擴散模型 （164）
11.3.5 Sentaurus Process中的氧化模型 （164）
11.4 Sentaurus Process工藝仿真實例 （165）
11.4.1 工藝製程設計方案 （165）
11.4.2 工藝仿真卡命令檔案的編寫 （168）
11.4.3 仿真實例卡命令檔案範本 （177）
11.4.4 工藝製程仿真結果 （181）
11.4.5 工藝仿真結果的分析 （183）
11.5 關於Sentaurus StructureEditor器件結構生成器 （184）
11.5.1 Sentaurus Structure Editor概述 （184）
11.5.2 使用sde完成由Process到Device的接口過渡 （186）
11.5.3 使用Sentaurus StructureEditor創建新的器件結構 （190）
本章小結 （194）
習題 （194）
第12章 可製造性設計理念 （196）
12.1 納米級IC可製造性設計理念 （197）
12.1.1 DFM 技術的實現流程 （197）
12.1.2 DFM與工藝可變性、光刻之間的關係 （198）
12.1.3 DFM工具的發展 （200）
12.2 提高可製造性良品率的OPC技術 （201）
12.2.1 光刻技術的現狀與發展概況 （201）
12.2.2 關於光學鄰近效應 （202）
12.2.3 光學鄰近效應校正技術 （203）
12.2.4 用於實現光刻校正的工具軟體 （207）
12.3 Synopsys可製造性設計解決方案 （210）
12.3.1 良品率設計分析工具套裝 （211）
12.3.2 掩膜綜合工具 （212）
12.3.3 掩膜數據準備工具CATSTM （213）
12.3.4 光刻驗證及光刻規則檢查系統 （213）
12.3.5 虛擬光掩膜步進曝光模擬系統 （214）
12.3.6 TCAD可製造性設計工具 （214）
12.3.7 製造良品率的管理工具 （217）
本章小結 （217）
習題 （218）
參考文獻 （219）
