XRL光源波長約為1納米。由於易於實現高解析度曝光,自從XRL技術在70年代被發明以來,就受到人們廣泛的重視。歐洲、美國、日本和中國等擁有同步輻射裝置的國家相繼開展了有關研究,是所有下一代光刻技術中最為成熟的技術。XRL的主要困難是獲得具有良好機械物理特性的掩膜襯底。近年來掩膜技術研究取得較大進展。SiC目前被認為是最合適的襯底材料。由於與XRL相關的問題的研究已經比較深入,加之光學光刻技術的發展和其它光刻技術的新突破,XRL不再是未來"惟一"的候選技術,美國最近對XRL的投入有所減小。儘管如此,XRL技術仍然是不可忽視的候選技術之一。
XRL是一條單片機邏輯運算指令,執行異或運算。“異或”運算是當兩個運算元不一致時結果為一,兩個運算元一致是時結果為0。
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