基本信息
作者：徐世六 主編， 謝孟賢、張正璠 副主編
ISBN：10位[7118052523]13位[9787118052527]
出版社：國防工業出版社
出版日期：2007-9-1
定價：￥62.00元
內容簡介
該書以器件和積體電路為軸線，從基本概念到器件的原理、設計、製造和電路套用。介紹了新近發展起來的SiGe微電子技術。全書共九章，內容涉及SiGe材料的性質、SiGe材料的製備、SiGe異質結構、SiGe異質結雙極型電晶體、SiGe場效應電晶體、SiGe積體電路、SiGe器件及其電路的發展動態等，並對SiGe在光電子領域的套用作了簡明的介紹。該書可供在半導體器件、積體電路和相關領域工作的科技工作者參考，也可作為微電子技術、光電子技術、電子材料、電子元器件、電子物理、電子工程等領域大學本科生及研究生的教材。
圖書目錄
第一章 SiGe技術的發展及其套用概述
1.1 SiGe器件
1.1.1 SiGe雙極型器件
1.1.2 SiGe場效應器件
1.1.3 SiGe光電器件
1.1.4 其他SiGe器件
1.2 SiGe-HBT的主要套用
1.2.1 SiGe放大器
1.2.2 SiGe-A/D轉換器
1.2.3 SiGe振盪器
1.2.4 SiGe混頻器和倍增器、倍減器
1.2.5 SiGe-HBT的其他套用
1.3 IBMSiGe技術的早期歷史
1.3.1 SiGe技術的起源
1.3.2 SiGe-UHV/CVD技術的發明
1.3.3 最早採用UHV/CVD技術製作的Si外延基區電晶體
1.3.4 IBM最早的SiGe基區電晶體
1.3.5 PNP-SiGe電晶體
1.3.6 fT為75GHZ的SiGe基區電晶體
1.3.7 SiGe外延基區電晶體（ETX）
1.3.8 SGe技術的後續工作
1.4 SiGe的主要廠商、工藝及代表產品
1.4.1 SiGe技術的兩種主要工藝
1.4.2 IBM的SiGe—BiCMOS工藝及產品
1.4.3 Atmel的SiGe技術
1.4.4 Maxim的SiGe技術
1.4.5 Jazz半導體公司的SiGe技術
1.4.6 TSMC（台積電）的SiGe技術
1.4.7 SiGe半導體公司
1.4.8 Sirerm.Microdevices的SiGe技術
1.5 SiGe技術的市場和前景
1.6 SiGe薄膜的製備工藝概述
1.7 開發SiGe-HBT工藝的途徑
1.7.1 採用低溫外延技術澱積SiGe
1.7.2 SiGe—BiCMOS的工藝集成
1.7.3 SiGe-HBT的製作
1.7.4 其他元件的工藝技術
1.8 SiGe技術的國內發展動態
參考文獻
第二章 Si1-xGex的基本物理特性
2.1 Si1-xGex合金的晶格和一般性質
2.1.1 Si1-xGex合金的相圖
2.1.2 Si1-xGex合金的晶體
……
第三章 應變矽技術原理
第四章 SiGe異質結構
第五章 SiGe材料的主要製備技術
第六章 Si-SiGe異質結雙極型電晶體
第七章 Si-SiGe異質結場效應電晶體
第八章 應變矽器件與電路
第九章 SiGe在光電子領域的套用
