人物經歷
李成，男，廈門大學教授，理學博士。1997年開始長期從事矽基新型光電子材料的外延生長和器件的研製，師從我國著名光電子學家王啟明院士。
2004年4月加盟廈門大學物理系，目前主要從事UHV/CVD外延生長矽基SiGe、Ge量子結構材料及其電子和光電子器件的研製。在國內外雜誌如Applied Physics Letters，IEEE photonic technology letters和國際會議上發表論文四十多篇，其中被SCI收錄二十篇，被引用80餘次。
研究方向
國家自然科學基金面上項目：SOI基高速、窄譜帶長波長Ge光電探測器的研究，（2007.1-2009.12）
福建省工業科技重點項目：SOI基垂直腔Ge光電探測器的研製，（2006.7-2009.7）
教育部留學回國人員基金項目：1.3um SiGe/Si多量子阱光電晶體的研製，（2005.9-2008.7）
福建省青年科技人才創新項目SiGe異質結電晶體(HBT)及其集成化工藝技術研究（2004.7－2007.7）
主要貢獻
利用UHV/CVD和MBE系統在國際上首次完成了SiGe/Si多量子阱長波長共振腔型光電探測器的研製，其結果被美國光電子雜誌Laser Focus World和WDM Solution在新聞欄目中兩次撰文跟蹤報導，並被收入S. C. Jain教授所著“Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures ” by Academy press （236－239頁）2003年出版和L. Pavesi所著Optical interconnection: The Silicon Approach, by springer(134-135頁)2006年出版專著中。發明了製作矽基高反射率SOR襯底的方法並獲專利，將其套用於Si基共振腔光電探測器中，得到適於WDM通信用窄帶光電回響譜。
2002年1月至2004年3月任日本國立筑波大學套用物理系文部科學教官助手，參加日本筑波學際領域聯盟研究中心資助的項目：環境半導體矽化鐵為有源區的矽基發光二極體及其集成化技術，研製出室溫低電流密度下發光的矽基光源，達到國際最好水平。1995-1997年西安微電子技術研究所從事超大規模積體電路的設計和分析，參與完成並行處理器晶片的設計（5萬門規模）。
