圖書信息
作 者：潘桂忠 編著出 版 社：上海科學技術出版社
出版時間：2012-6-1
版 次：1
內容簡介
本書編著者潘桂忠。 《MOS積體電路工藝與製造技術》內容系統地介紹了矽積體電路製造技術中的基礎工藝，內容包括矽襯底與清洗、氧化、擴散、離子注入、外延、化學氣相澱積、光刻與腐蝕/N，蝕、金屬化與多層布線、表面鈍化以及工藝集成製造技術。前面l—10章，一方面介紹了各種工藝，建立了工藝規範並確定了其規範號；另一方面確定了工藝製程中的各種工序。積體電路工藝製程依一定次序的各工序組成，而工序由各工步所構成，工步中的各種工藝由其規範來確定，工藝規範由其規範號和工藝序號(i)得到，最終在矽襯底上實現所設計的圖形，製造出各種電路晶片。前面l～10章為後面11～13章的各種工藝集成製造技術奠定了基礎。ll～13章介紹了CMOS 和LV/Hv兼容 CMOS、BiCMOS和LV/HV兼容BiCMOS以及BCD工藝集成製造技術，給出部分實用簡明工藝製程卡，並與工藝製程的剖面結構相對應。目錄
第1章 矽襯底與清洗1．1 矽晶圓
1．2 P型矽襯底
1．3 N型矽襯底
1．4 Pepi/P或Pepi/P+型矽襯底
1．5 Nepi/P或Nepi/N+型矽襯底
1．6 矽片雷射編號
1．7 矽片清洗分類及其步驟
1．8 矽片各種清洗液及其清洗
第2章 熱氧化
第3章 熱擴散
第4章 離子注入及其退夥
第5章 矽外延
第6章 化學氣相澱積
第7章 光刻
第8章 腐蝕和刻蝕
第9章 金屬化
第10章 表面鈍化
第11章 CMOS工藝集成
第13章 Bicmos工藝集成
