ic積體電路特點
積體電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。用積體電路來裝配電子設備，其裝配密度比電晶體可提高几十倍至幾千倍，設備的穩定工作時間也可大大提高。
ic積體電路套用
ic積體電路不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的套用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的套用。
ic積體電路分類
一、積體電路按其功能、結構的不同，可以分為模擬積體電路、數字積體電路和數/模混合積體電路三大類。
模擬積體電路又稱線性電路,用來產生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關係。
數字積體電路用來產生、放大和處理各種數位訊號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如vcd、dvd重放的音頻信號和視頻信號）。
二、按集成度高低不同，可分為小規模、中規模、大規模及超大規模積體電路四類。
對模擬積體電路，由於工藝要求較高、電路又較複雜，所以一般認為集成50個以下元器件為小規模積體電路，集成50－100個元器件為中規模積體電路，集成100個以上的元器件為大規模積體電路。
對數字積體電路，一般認為集成1～10等效門/片或10～100個元件/片為小規模積體電路，集成10～100個等效門/片或100～1000元件/片為中規模積體電路，集成100～10,000個等效門/片或1000～100,000個元件/片為大規模積體電路，集成10,000以上個等效門/片或100,000以上個元件/片為超大規模積體電路。
三、按其製作工藝不同，可分為半導體積體電路、膜積體電路和混合積體電路三類。
半導體積體電路是採用半導體工藝技術，在矽基片上製作包括電阻、電容、三極體、二極體等元器件並具有某種電路功能的積體電路；膜積體電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上，以“膜”的形式製作電阻、電容等無源器件。無源元件的數值範圍可以作得很寬，精度可以作得很高。但目前的技術水平尚無法用“膜”的形式製作晶體二極體、三極體等有源器件，因而使膜積體電路的套用範圍受到很大的限制。在實際套用中，多半是在無源膜電路上外加半導體積體電路或分立元件的二極體、三極體等有源器件，使之構成一個整體，這便是混合積體電路。根據膜的厚薄不同，膜積體電路又分為厚膜積體電路（膜厚為1μm～10μm）和薄膜積體電路（膜厚為1μm以下）兩種。在家電維修和一般性電子製作過程中遇到的主要是半導體積體電路、厚膜電路及少量的混合積體電路。
四、按導電類型不同，分為雙極型積體電路和單極型積體電路兩類。
雙極型積體電路頻率特性好，但功耗較大，而且製作工藝複雜，絕大多數模擬積體電路以及數字積體電路中的ttl、ecl、htl、lsttl、sttl型屬於這一類。
單極型積體電路工作速度低，但輸人阻抗高、功耗小、製作工藝簡單、易於大規模集成，其主要產品為mos型積體電路。mos電路又分為nmos、pmos、cmos型。
（1）nmos積體電路是在半導體矽片上，以n型溝道mos器件構成的積體電路；參加導電的是電子。
（2）pmos型是在半導體矽片上，以p型溝道mos器件構成的積體電路；參加導電的是空穴。
（3）cmos型是由nmos電晶體和pmos電晶體互補構成的積體電路稱為互補型mos積體電路，簡寫成cmos積體電路。
五、按用途可分為電視機用積體電路、音響用積體電路、影碟機用積體電路、錄像機用積體電路、電腦（微機）用積體電路、電子琴用積體電路、通信用積體電路、照相機用積體電路、遙控積體電路、語言積體電路、報警器用積體電路及各種專用積體電路。
1.電視機用積體電路包括行、場掃描積體電路、中放積體電路、伴音積體電路、彩色解碼積體電路、av/tv轉換積體電路、開關電源積體電路、遙控積體電路、麗音解碼積體電路、畫中畫處理積體電路、微處理器（cpu）積體電路、存儲器積體電路等。
2.音響用積體電路包括am/fm高中頻電路、立體聲解碼電路、音頻前置放大電路、音頻運算放大積體電路、音頻功率放大積體電路、環繞聲處理積體電路、電平驅動積體電路，電子音量控制積體電路、延時混響積體電路、電子開關積體電路等。
3.影碟機用積體電路有系統控制積體電路、視頻編碼積體電路、mpeg解碼積體電路、音頻信號處理積體電路、音響效果積體電路、rf信號處理積體電路、數位訊號處理積體電路、伺服積體電路、電動機驅動積體電路等。
4.錄像機用積體電路有系統控制積體電路、伺服積體電路、驅動積體電路、音頻處理積體電路、視頻處理積體電路。
六、按套用領域分可分為標準通用積體電路和專用積體電路。
七、按外形分可分為圓形(金屬外殼電晶體封裝型,一般適合用於大功率)、扁平型(穩定性好,體積小)和雙列直插型。
ic積體電路的封裝種類
1、bga
bga的全稱是ball grid array（球柵陣列結構的pcb），它是積體電路採用有機載板的一種封裝法。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配lsi晶片，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(pac)。引腳可超過200，是多引腳lsi用的一種封裝。 封裝本體也可做得比qfp(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm的360引腳bga僅為31mm見方；而引腳中心距為0.5mm的304引腳qfp為40mm見方。而且bga不用擔心qfp那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國motorola公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有可能在個人計算機中普及。最初，bga 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在也有一些lsi廠家正在開發500引腳的bga。 bga的問題是回流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為，由於焊接的中心距較大，連線可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。美國motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為ompac，而把灌封方法密封的封裝稱為gpac(見ompac和gpac)。
優點：①封裝面積減少；②功能加大，引腳數目增多；③pcb板溶焊時能自我居中，易上錫；④可靠性高；⑤電性能好，整體成本低。
2、bqfp
(quad flat package with bumper)
帶緩衝墊的四側引腳扁平封裝。qfp封裝之一，在封裝本體的四個角設定突起(緩衝墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和asic等電路中採用此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84到196左右(見qfp)。
3、c－
(ceramic)表示陶瓷封裝的記號。例如，cdip 表示的是陶瓷dip。是在實際中經常使用的記號。
4、cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ecl ram，dsp(數位訊號處理器)等電路。帶有玻璃視窗的cerdip 用於紫外線擦除型eprom 以及內部帶有eprom的微機電路等。引腳中心距2.54mm，引腳數從8到42。在日本，此封裝表示為dip－g(g即玻璃密封的意思)。
5、cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷qfp，用於封裝dsp等的邏輯lsi電路。帶有視窗的cerquad用於封裝eprom電路。散熱性比塑膠qfp好，在自然空冷條件下可容許1.5～2w的功率。但封裝成本比塑膠qfp高3～5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm等多種規格。引腳數從32到368。
帶引腳的陶瓷晶片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形。 帶有視窗的用於封裝紫外線擦除型eprom 以及帶有eprom的微機電路等。此封裝也稱為qfj、qfj－g(見qfj)。
6、cob
(chip on board)
板上晶片封裝，是裸晶片貼裝技術之一，半導體晶片交接貼裝在印刷線路板上，晶片與 基 板的電氣連線用引線縫合方法實現，晶片與基板的電氣連線用引線縫合方法實現，並用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然cob 是最簡單的裸晶片貼裝技術，但它的封裝密度遠不如tab 和 倒片 焊技術。
7、dfp
(dual flat package)
雙側引腳扁平封裝。是sop 的別稱(見sop)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
8、dic
(dual in-line ceramic package)
陶瓷dip(含玻璃密封)的別稱(見dip).
9、dil
(dual in-line)
dip的別稱(見dip)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
10、dip
(dual in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑膠和陶瓷兩種 。 dip 是最普及的插裝型封裝，套用範圍包括標準邏輯ic，存貯器lsi，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny dip 和slim dip(窄體型dip)。但多數情況下並不加 區分， 只簡單地統稱為dip。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷dip 也稱為cerdip(見cerdip)。
11、dso
(dual small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。sop 的別稱(見sop)。部分半導體廠家採用此名稱。
12、dicp (dual tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。tcp(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於利用的是tab(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動lsi，但多數為 定製品。另外，0.5mm厚的存儲器lsi簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照eiaj(日本電子機 械工 業)會標準規定，將dicp命名為dtp。
13、dip
(dual tape carrier package)
日本電子機械工業會標準對dtcp 的命名(見dtcp)。
14、fp
(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。qfp 或sop(見qfp 和sop)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。
15、flip-chip
倒焊晶片。裸晶片封裝技術之一，在lsi 晶片的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連線。封裝的占有面積基本上與晶片尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹係數與lsi 晶片不同，就會在接合處產生反應，從而影響連線的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固lsi 晶片，並使用熱膨脹係數基本相同的基板材料。
16、fqfp
(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距qfp。通常指引腳中心距小於0.65mm 的qfp(見qfp)。部分導導體廠家采 用此名稱。
17、cpac
(globe top pad array carrier)
美國motorola 公司對bga 的別稱(見bga)。
18、cqfp
(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑膠qfp 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把lsi 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(l 形狀)。 這種封裝 在美國motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
19、h-
(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例如，hsop 表示帶散熱器的sop。
20、pin grid array
(surface mount type)
表面貼裝型pga。通常pga 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型pga 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊pga。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型pga 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎么大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯lsi 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
21、jlcc
(j-leaded chip carrier)
j 形引腳晶片載體。指帶視窗clcc 和帶視窗的陶瓷qfj 的別稱(見clcc 和qfj)。部分半 導體廠家採用的名稱。
22、lcc
(leadless chip carrier)
無引腳晶片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻ic 用封裝，也稱為陶瓷qfn 或qfn－c(見qfn)。
23、lga
(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷lga，套用於高速 邏輯 lsi 電路。 lga 與qfp 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻 抗 小，對於高速lsi 是很適用的。但由於插座製作複雜，成本高，現在基本上不怎么使用 。預計 今後對其需求會有所增加。
24、loc
(lead on chip)
晶片上引線封裝。lsi 封裝技術之一，引線框架的前端處於晶片上方的一種結構，晶片 的 中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連線。與原來把引線框架布置在晶片側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶片達1mm 左右寬度。
25、lqfp
(low profile quad flat package)
薄型qfp。指封裝本體厚度為1.4mm 的qfp，是日本電子機械工業會根據制定的新qfp 外形規格所用的名稱。
26、l－quad
陶瓷qfp 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，晶片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯lsi 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許w3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的lsi 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。
27、mcm
(multi-chip module)
多晶片組件。將多塊半導體裸晶片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為mcm－l，mcm－c 和mcm－d 三大類。 mcm－l 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 mcm－c 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合ic 類似。兩者無明顯差別。布線密度高於mcm－l。
mcm－d 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或si、al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
28、mfp
(mini flat package)
小形扁平封裝。塑膠sop 或ssop 的別稱(見sop 和ssop)。部分半導體廠家採用的名稱。
29、mqfp
(metric quad flat package)
按照jedec(美國聯合電子設備委員會)標準對qfp 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標準qfp(見qfp)。
30、mquad
(metal quad)
美國olin 公司開發的一種qfp 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5w～2.8w 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產 。
31、msp
(mini square package)
qfi 的別稱(見qfi)，在開發初期多稱為msp。qfi 是日本電子機械工業會規定的名稱。
32、opmac(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國motorola 公司對模壓樹脂密封bga 採用的名稱(見 bga)。
33、p－
(plastic)
表示塑膠封裝的記號。如pdip 表示塑膠dip。
34、pac
(pad array carrier)
凸點陳列載體，bga 的別稱(見bga)。
35、pclp
(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑膠qfn(塑膠lcc)採用的名稱(見qfn)。引腳中心距有0.55mm和0.4mm兩種規格。目前正處於開發階段。
36、pfpf
(plastic flat package)
塑膠扁平封裝。塑膠qfp 的別稱(見qfp)。部分lsi 廠家採用的名稱。
37、pga
(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都採用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷pga，用於高速大規模 邏輯 lsi 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256引腳的塑膠pga。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型pga(碰焊pga)。(見表面貼裝型pga)。
38、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與dip、qfp、qfn相似。在開發帶有微機的設備時用於評價程式確認操作。例如，將eprom插入插座進行調試。這種封裝基本上都是定製品，市場上不怎么流通。
39、plcc
(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑膠晶片載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ， 是塑膠製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位dram 和256kdram 中採用，現在已經 普 及用於邏輯lsi、dld(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 j 形引腳不易變形，比qfp 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。 plcc 與lcc(也稱qfn)相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑膠，後者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷製作的j 形引腳封裝和用塑膠製作的無引腳封裝(標記為塑膠lcc、pc lp、p －lcc 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出 j 形引 腳的封裝稱為qfj，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為qfn(見qfj 和qfn)。
40、p－lcc
(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑膠qfj 的別稱，有時候是qfn(塑膠lcc)的別稱(見qfj 和qfn)。部分
lsi 廠家用plcc 表示帶引線封裝，用p－lcc 表示無引線封裝，以示區別。
41、qfh
(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑膠qfp 的一種，為了防止封裝本體斷裂，qfp 本體製作得 較厚(見qfp)。部分半導體廠家採用的名稱。
42、qfi
(quad flat i-leaded packgac)
四側i 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈i 字 。 也稱為msp(見msp)。貼裝與印刷基板進行碰焊連線。由於引腳無突出部分，貼裝占有面 積小 於qfp。 日立製作所為視頻模擬ic 開發並使用了這種封裝。此外，日本的motorola 公司的pll ic 也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。
43、qfj
(quad flat j-leaded package)
四側j形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈j字形。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。
材料有塑膠和陶瓷兩種。塑膠qfj 多數情況稱為plcc(見plcc)，用於微機、門陳列、 dram、assp、otp 等電路。引腳數從18至84。
陶瓷qfj 也稱為clcc、jlcc(見clcc)。帶視窗的封裝用於紫外線擦除型eprom 以及 帶有eprom 的微機晶片電路。引腳數從32 至84。
44、qfn
(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為lcc。qfn是日本電子機械工業會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝占有面積比qfp小，高度比qfp低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難於作到qfp的引腳那樣多，一般從14到100左右。 材料有陶瓷和塑膠兩種。當有lcc標記時基本上都是陶瓷qfn。電極觸點中心距1.27mm。
塑膠qfn 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外，還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑膠lcc、pclc、p－lcc 等。
45、qfp
(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(l)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑膠三種。從數量上看，塑膠封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑膠qfp。塑膠qfp 是最普及的多引腳lsi 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字 邏輯lsi 電路，而且也用於vtr 信號處理、音響信號處理等模擬lsi 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。
日本將引腳中心距小於0.65mm 的qfp 稱為qfp(fp)。但現在日本電子機械工業會對qfp 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 qfp(2.0mm～3.6mm 厚)、lqfp(1.4mm 厚)和tqfp(1.0mm 厚)三種。
另外，有的lsi 廠家把引腳中心距為0.5mm 的qfp 專門稱為收縮型qfp 或sqfp、vqfp。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的qfp 也稱為sqfp，至使名稱稍有一些混亂 。 qfp 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的qfp 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩衝墊的bqfp(見bqfp)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的gqfp(見gqfp)；在封裝本體裡設定測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的tpqfp(見tpqfp)。 在邏輯lsi 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷qfp 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷qfp(見gerqa d)。
46、qfp
(fp)(qfp fine pitch)
小中心距qfp。日本電子機械工業會標準所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小於0.65mm 的qfp(見qfp)。
47、qic
(quad in-line ceramic package)
陶瓷qfp 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見qfp、cerquad)。
48、qip
(quad in-line plastic package)
塑膠qfp 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見qfp)。
49、qtcp
(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。tcp 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利 用 tab 技術的薄型封裝(見tab、tcp)。
50、qtp
(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對qtcp 所制定的外形規格所用 的 名稱(見tcp)。
51、quil
(quad in-line)
quip 的別稱(見quip)。
52、quip
(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標準印刷線路板 。是 比標準dip 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶片中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑膠兩種。引腳數64。
53、sdip
(shrink dual in-line package)
收縮型dip。插裝型封裝之一，形狀與dip 相同，但引腳中心距(1.778mm)小於dip(2.54 mm)，
因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為sh－dip 的。材料有陶瓷和塑膠兩種。
54、sh－dip
(shrink dual in-line package)
同sdip。部分半導體廠家採用的名稱。
55、sil
(single in-line)
sip 的別稱(見sip)。歐洲半導體廠家多採用sil 這個名稱。
56、simm
(single in-line memory module)
單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標準simm 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用soj 封裝的1 兆位及4 兆位dram 的simm 已經在個人 計算機、工作站等設備中獲得廣泛套用。至少有30～40%的dram 都裝配在simm 里。
57、sip
(single in-line package)
單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時 封 裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2 至23，多數為定製產品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與zip 相同的封裝稱為sip。
58、sk－dip
(skinny dual in-line package)
dip 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體dip。通常統稱為dip(見 dip)。
59、sl－dip
(slim dual in-line package)
dip 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體dip。通常統稱為dip。
60、smd
(surface mount devices)
表面貼裝器件。偶而，有的半導體廠家把sop 歸為smd(見sop)。
sop 的別稱。世界上很多半導體廠家都採用此別稱。(見sop)。
61、soi
(small out-line i-leaded package)
i 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈i 字形，中心 距 1.27mm。貼裝占有面積小於sop。日立公司在模擬ic(電機驅動用ic)中採用了此封裝。引 腳數 26。
62、soic
(small out-line integrated circuit)
sop 的別稱(見sop)。國外有許多半導體廠家採用此名稱。
63、soj
(small out-line j-leaded package)
j 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈j 字形，故此 得名。 通常為塑膠製品，多數用於dram 和sram 等存儲器lsi 電路，但絕大部分是dram。用so j 封裝的dram 器件很多都裝配在simm 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20 至40(見simm )。
64、sql
(small out-line l-leaded package)
按照jedec(美國聯合電子設備工程委員會)標準對sop 所採用的名稱(見sop)。
65、sonf
(small out-line non-fin)
無散熱片的sop。與通常的sop 相同。為了在功率ic 封裝中表示無散熱片的區別，有意 增添了nf(non-fin)標記。部分半導體廠家採用的名稱(見sop)。
66、sop
(small out-line package)
小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(l 字形)。材料有 塑膠 和陶瓷兩種。另外也叫sol 和dfp。
sop 除了用於存儲器lsi 外，也廣泛用於規模不太大的assp 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領域，sop 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從8 ～44。
另外，引腳中心距小於1.27mm 的sop 也稱為ssop；裝配高度不到1.27mm 的sop 也稱為 tsop(見ssop、tsop)。還有一種帶有散熱片的sop。
67、sow
(small outline package(wide-jype))
寬體sop。部分半導體廠家採用的名稱。
ic積體電路發展簡史
1.世界積體電路的發展歷史
1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發明了電晶體，這是微電子技術發展中第一個里程碑；
1950年：結型電晶體誕生；
1950年： r ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；
1951年：場效應電晶體發明；
1956年：c s fuller發明了擴散工藝；
1958年：仙童公司robert noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了積體電路，開創了世界微電子學的歷史；
1960年：h h loor和e castellani發明了光刻工藝；
1962年：美國rca公司研製出mos場效應電晶體；
1963年：f.m.wanlass和c.t.sah首次提出cmos技術，今天，95]以上的積體電路晶片都是基於cmos工藝；
1964年：intel摩爾提出摩爾定律，預測電晶體集成度將會每18個月增加1倍；
1966年：美國rca公司研製出cmos積體電路，並研製出第一塊門陣列（50門）；
1967年：套用材料公司（applied materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備製造公司；
1971年：intel推出1kb動態隨機存儲器（dram），標誌著大規模積體電路出現；
1971年：全球第一個微處理器4004由intel公司推出，採用的是mos工藝，這是一個里程碑式的發明；
1974年：rca公司推出第一個cmos微處理器1802；
1976年：16kb dram和4kb sram問世；
1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的矽片上集成了14萬個電晶體，標誌著超大規模積體電路（vlsi）時代的來臨；
1979年：intel推出5mhz 8088微處理器，之後，ibm基於8088推出全球第一台pc；
1981年：256kb dram和64kb cmos sram問世；
1984年：日本宣布推出1mb dram和256kb sram；
1985年：80386微處理器問世，20mhz；
1988年：16m dram問世，1平方厘米大小的矽片上集成有3500萬個電晶體，標誌著進入超大規模積體電路（vlsi）階段；
1989年：1mb dram進入市場；
1989年：486微處理器推出，25mhz，1μm工藝，後來50mhz晶片採用 0.8μm工藝；
1992年：64m位隨機存儲器問世；
1993年：66mhz奔騰處理器推出,採用0.6μm工藝；
1995年:pentium pro, 133mhz，採用0.6-0.35μm工藝；
1997年：300mhz奔騰Ⅱ問世,採用0.25μm工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450mhz，採用0.25μm工藝，後採用0.18μm工藝；
2000年: 1gb ram投放市場；
2000年：奔騰4問世，1.5ghz，採用0.18μm工藝；
2001年：intel宣布2001年下半年採用0.13μm工藝。
2003年：奔騰4 e系列推出，採用90nm工藝。
2005年：intel 酷睿2系列上市，採用65nm工藝。
2007年：基於全新45納米high-k工藝的intel酷睿2 e7/e8/e9上市。
2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄採用了領先的32納米工藝，並且下一代22納米工藝正在研發。
2.我國積體電路的發展歷史
我國積體電路產業誕生於六十年代，共經歷了三個發展階段：
1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立積體電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善積體電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電積體電路的國產化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以cad為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，積體電路行業取得了新的發展。
ic積體電路的好壞判別方法
一、不在路檢測
這種方法是在ic未焊入電路時進行的，一般情況下可用萬用表測量各引腳對應於接地引腳之間的正、反向電阻值，並和完好的ic進行 較。
二、在路檢測
這是一種通過萬用表檢測ic各引腳在路（ic在電路中）直流電阻、對地交直流電壓以及總工作電流的檢測方法。這種方法克服了代換試驗法需要有可代換ic的局限性和拆卸ic的麻煩，是檢測ic最常用和實用的方法。
1．直流工作電壓測量
這是一種在通電情況下，用萬用表直流電壓擋對直流供電電壓、外圍元件的工作電壓進行測量；檢測ic各引腳對地直流電壓值，並與正常值相較，進而壓縮故障範圍，出損壞的元件。測量時要注意以下八點：
(1)萬用表要有足夠大的內阻，少要大於被測電路電阻的10倍以上，以免造成較大的測量誤差。
(2)通常把各電位器旋到中間位置，如果是電視機，信號源要採用標準彩條信號發生器。
(3)表筆或探頭要採取防滑措施。因任何瞬間短路都容易損壞ic。可採取如下方法防止表筆滑動：取一段腳踏車用氣門芯套在表筆尖上，並長出表筆尖約0.5mm左右，這既能使表筆尖良好地與被測試點接觸，又能有效防止打滑，即使碰上鄰近點也不會短路。
(4)當測得某一引腳電壓與正常值不符時，應根據該引腳電壓對ic正常工作有無重要影響以及其他引腳電壓的相應變化進行分析，能判斷ic的好壞。
(5)ic引腳電壓會受外圍元器件影響。當外圍元器件發生漏電、短路、開路或變值時，或外圍電路連線的是一個阻值可變的電位器，則電位器滑動臂所處的位置不同，都會使引腳電壓發生變化。
(6)若ic各引腳電壓正常，則一般認為ic正常；若ic部分引腳電壓異常，則應從偏離正常值最大處入手，檢查外圍元件有無故障，若無故障，則ic很可能損壞。
(7)對於動態接收裝置，如電視機，在有無信號時，ic各引腳電壓是不同的。如發現引腳電壓不該變化的反而變化大，該隨信號大小和可調元件不同位置而變化的反而不變化，就可確定ic損壞。
(8)對於多種工作方式的裝置，如錄像機，在不同工作方式下，ic各引腳電壓也是不同的。
2．交流工作電壓測量法
為了掌握ic交流信號的變化情況，可以用帶有db插孔的萬用表對ic的交流工作電壓進行近似測量。檢測時萬用表置於交流電壓擋，正表筆插入db插孔；對於無db插孔的萬用表，需要在正表筆串接一隻0.1～0.5μf隔直電容。該法適用於工作頻率較低的ic，如電視機的視頻放大級、場掃描電路等。由於這些電路的固有頻率不同，波形不同，所以所測的數據是近似值，只能供參考。
3．總電流測量法
該法是通過檢測ic電源進線的總電流，來判ic好壞的一種方法。由於ic內部絕大多數為直接耦合，ic損壞時（如某一個pn結擊穿或開路）會引起後級飽和與截止，使總電流發生變化。所以通過測量總電流的方法可以判ic的好壞。也可用測量電源通路中電阻的電壓降，用歐姆定律計算出總電流值。
ic積體電路市場發展
近幾年，中國積體電路產業取得了飛速發展。中國積體電路產業已經成為全球半導體產業關注的焦點，即使在全球半導體產業陷入有史以來程度最嚴重的低迷階段時，中國積體電路市場仍保持了兩位數的年增長率，憑藉巨大的市場需求、較低的生產成本、豐富的人力資源，以及經濟的穩定發展和寬鬆的政策環境等眾多優勢條件，以京津唐地區、長江三角洲地區和珠江三角洲地區為代表的產業基地迅速發展壯大，製造業、設計業和封裝業等積體電路產業各環節逐步完善。
2006年中國積體電路市場銷售額為4862.5億元，同比增長27.8]。其中ic設計業年銷售額為186.2億元，比2005年增長49.8]。
2007年中國積體電路產業規模達到1251.3億元，同比增長24.3]，積體電路市場銷售額為5623.7億元，同比增長18.6]。而計算機類、消費類、網路通信類三大領域占中國積體電路市場的88.1]。
目前，中國積體電路產業已經形成了ic設計、製造、封裝測試三業及支撐配套業共同發展的較為完善的產業鏈格局，隨著ic設計和晶片製造行業的迅猛發展，國內積體電路價值鏈格局繼續改變，其總體趨勢是設計業和晶片製造業所占比例迅速上升。
