簡介
人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。
DDR記憶體 是在SDRAM記憶體基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於記憶體廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR記憶體的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鐘周期內只傳輸一次數據，它是在時鐘的上升期進行數據傳輸；而DDR記憶體則是一個時鐘周期內傳輸兩次數據，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR記憶體可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM對比
性能差別
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模組的數據。DDR本質上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈衝的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。
外部差別
從 外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。幾年前，PC機上的記憶體條主要是由SDR SDRAM(單倍速率同步DRAM)或DDR SDRAM晶片構成的。標準的DDR記憶體條是184引腳線 DIMM(雙面引腳記憶體條)。它很像標準的168引腳線 SDRAM DIMM，只是用了一個凹槽而不是SD上的兩個凹槽。組件的長度也是5.25英寸，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR記憶體採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標準，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標準。
種類
| DDR SDRAM Standard | Release year | Bus Clock (MHz) | Prefetch (min burst) | Transfer Rate (MT/s) | Voltage | |
| DDR1 | 2000 | 100–200 | 2n | 200–400 | 2.5/2.6 | |
| DDR2 | 2003 | 200–533.33 | 4n | 400–1066.67 | 1.8 | |
| DDR3 | 2007 | 400–1066.67 | 8n | 800–2133.33 | 1.5/1.35 | |
| DDR4 | 2014 | 1066.67–2133.33 | 8n | 2133.33–4266.67 | 1.05/1.2 |
