舉例說明
預充電時間 (CAS Latency):通常簡稱CL。例如CL=3,表示計算機系統自主存儲器讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。
CL2與CL3的差異
CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間,相差一個時脈,對整個系統的效能並無顯著影響。
預充電時間,表示計算機系統自主存儲器讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈。
預充電時間 (CAS Latency):通常簡稱CL。例如CL=3,表示計算機系統自主存儲器讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。
CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間,相差一個時脈,對整個系統的效能並無顯著影響。
,因為要有命令、定址等必要的過程。但這些操作占用的時間越短,記憶體工作的效率越高,性能也就越好。非數據傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過...真正被讀取所花費的時間,tRP則決定了相同L-Bank中不同工作行轉換...
演變 關係 規格 公式 取址標準設定 AWARD BIOS界面 【Standard CMOS Setup】在本選單中,用戶可以修改日期、時間、第一主IDE設備(硬碟)和IDE設備(硬碟或CD-ROM)、第二個主IDE設備(硬碟或CD-ROM...
標準設定 功能設定 功能設定 節電功能 即插即用系統自檢的時間和降低機器的性能,而且必須記憶體支持才能開啟此特性。5...)選項:250, 500, 750, 1000每一次輸入字元延遲的時間...
標準設定 特徵設備 特性設定 外圍設備設定 即插即用設定、Precharge to active),表示"記憶體行地址控制器預充電時間...CPU的總時間為3秒,接下來再來看看CPU集成記憶體控制器的時候系統是如何...1秒的時間,所以大大節省了運算時間,也充分發揮了CPU的性能。最後總結...
分類 工作原理 發展過程 運算 控制器預充電時間 T 發出預充電命令與打開下一行之間所需的最小時鐘周期數。從一個非...時間 T 行活動命令與發出預充電命令之間所需的最小時鐘周期數。這是內部刷新...恢復時間。上一次對行的寫入命令與預充電它之間必須經過的時間。通常,T...
簡介 BIOS中的處理記憶體簡介它取消了主機板與記憶體兩個存儲周期之間的時間間隔,每隔2個時鐘脈衝...記憶體 1、RAS在結束上一次的讀取操作之後,進入預充電狀態,當接到讀取數據...處於預充電狀態。 2、/RAS引腳被激活,列地址開始經過行地址選通電路和行...
記憶體簡介 工作原理 記憶體圖片、升速時過電流 當負載的慣性較大,而升速時間又設定得太短時,意味著在升速...電流 當負載的慣性較大,而降速時間設定得太短時,也會引起過電流。因為,降速時間太短,同步轉速迅速下降,而電動機轉子因負載的慣性大,仍維持較高的轉速...
技術系列 問答集 故障及其實例分析。,而升速時間又設定得太短時,意味著在升速過程中,變頻器的工作效率上升太快...,結果是升速電流太大。3、降速中的過電流 當負載的慣性較大,而降速時間設定得太短時,也會引起過電流。因為,降速時間太短,同步轉速迅速下降,而電動機...
常見方法 技術系列 基礎知識 過熱保護 故障案例簡介這是一個多義詞,請在下列義項中選擇瀏覽 transient receptor potential 暫時型感受器電位tra...
簡介 教學法