記憶體簡介
它取消了主機板與記憶體兩個存儲周期之間的時間間隔，每隔2個時鐘脈衝周期傳輸一次數據，大大地縮短了存取時間，使存取速度提高30%，達到60ns。EDO記憶體主要用於72線的SIMM記憶體條，以及採用EDO記憶體晶片的PCI顯示卡。這種記憶體流行在486以及早期的奔騰計算機系統中，它有72線和168線之分，採用5V工作電壓，匯流排寬度32 bit，必須兩條或四條成對使用，可用於英特爾430FX/430VX甚至430TX晶片組主機板上。目前也已經被淘汰，只能在某些老爺機上見到。
工作原理
EDO DRAM與更古老的 FPM DRAM數據讀取完畢才會進行下一個數據的讀取的方式有很大的差異。EDO DRAM可以在輸出數據的同時進行下一個列地址選通,我們依然結合下面的EDO讀取時序圖來了解EDO DRAM讀取數據的過程：
EDO記憶體1、RAS在結束上一次的讀取操作之後，進入預充電狀態，當接到讀取數據的請求之後，行地址首先通過地址匯流排傳輸到地址引腳，在這個期間CAS依然處於預充電狀態。 2、/RAS引腳被激活，列地址開始經過行地址選通電路和行地址解碼器進行行地址的選擇，就在這個同時tRAC周期開始，因為是讀取操作/WE引腳一直沒有被激活，所以記憶體知道自己進行的是讀取操作而不是寫操作。
3、在CAS依然進行預充電的過程中，列地址被送到列地址選通電路選擇出來合適的地址，當/CAS被激活的同時tCAC周期開始，當tCAC結束的時候，需要讀取的數據將會通過數據引腳傳輸到數據匯流排。
4、從開始輸出第一組數據的時候，我們就可以體會到EDO同FPM之間的區別了：在tCAC周期結束之前，CAS失活並且開始了預充電，第二組列地址傳輸和選通也隨即開始，第一數據還沒有輸出完畢之前，下一組數據的tCAC周期就開始了－－顯然這樣進一步的節省了時間。就在第二組數據輸出前，CAS再次失活為第三組數據傳輸列地址做起了準備……
5、如此的設計使得EDO記憶體的性能比起FPM的性能提高了大約20-40%。
6、正是因為EDO的速度比FPM快，所以它可以運行在更高的匯流排頻率上。所以很多的EDO RAM可以運行在66MHz的頻率上，並且一般標註為5－2－2－2。
記憶體圖片
1、72線EDO記憶體
72線EDO 記憶體2、168線EDO記憶體
EDO記憶體