離子束最小直徑約10nm,離子束刻蝕的結構最小可能不會小於10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下,最少的達到10nm,獲得最小線寬12nm的加工結果。相比電子與固體相互作用,離子在固體中的散射效應較小,並能以較快的直寫速度進行小於50nm的刻蝕,故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入,甚至無顯影刻蝕,直接製造各種納米器件結構。但是,在離子束加工過程中,損傷問題比較突出,且離子束加工精度還不容易控制,控制精度也不夠高。
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