雜質原子在半導體中扮演著重要的角色，通過摻入雜質原子取代原來的原子可控制半導體的導電性。隨著晶片中的元件集成度越來越高，尺寸不斷縮小，微電子技術已經達到一個臨界點，即為數不多的雜質原子就可能決定特殊設備的功能。研究這些雜質原子，成為未來提高晶片功能的關鍵。貝爾實驗室此次的成果，為研究雜質原子提供了重要的工具。
簡介
美國貝爾實驗室的科學家成功拍攝下半導體材料矽中單個雜質原子的圖像，這一突破性進展將幫助科學家進一步理解雜質影響微晶片性能的機理，以繼續提高微晶片的性能。據最新一期英國《自然》雜誌報導，隸屬於朗訊公司的貝爾實驗室利用掃描透射電子顯微鏡，首次在晶體中拍攝下獨立的、處於未被干擾狀態下的雜質原子圖像。據稱，此項成就的難度類似於從地球上拍攝下月球表面的一個小小的足印。
圖像
雜質在半導體中扮演著重要的角色，通過摻入雜質原子取代原來的原子可控制半導體的導電性。隨著晶片中的元件集成度越來越高，尺寸不斷縮小，微電子技術已經達到一個臨界點，即為數不多的雜質原子就可能決定特殊設備的功能。研究這些雜質原子，成為未來提高晶片功能的關鍵。貝爾實驗室此次的成果，為研究雜質原子提供了重要的工具。
美國威斯康辛大學工程學專家保羅·帕西說：“這項結果非常重要，能夠幫助科學家理解原子水平上矽中雜質的分布狀態。這項技術還會幫助人類更深入認識範圍更廣的其它複雜材料。”貝爾實驗室稱，這項新技術不僅適用於矽，也可以用於多種其它材料。
