雜質能級

半導體物理釋義

雜質能級（impurity level）

電子-模型圖

半導體材料中的雜質使嚴格的周期性勢場受到破壞，從而有可能產生能量在帶隙中的局域化電子態，稱為雜質能級。對於雜質和主晶格原子價電子相差1的施（受）主雜質，它們的離化能很小，通常只有十幾～幾十毫電子伏，在常溫下就能電離而嚮導帶（價帶）提供電子（空穴），自身成為帶正（負）電的電離施（受）主，通常稱這些雜質能級為施（受）主能級。

半導體物理中的套用

和主晶格原子的價電子相差大於1的雜質，在半導體中形成的雜質能級一般離導帶底或價帶頂較遠，它們的施主或受主作用一般不明顯，通常稱這些雜質能級為深能級。靠近禁帶中央的深能級往往是有效的複合中心，能促進非平衡載流子的複合，對半導體的光電和發光性能起重要作用。