人物生平
薩支唐1932年薩支唐出生於中國北平市，後回福州接受完中學教育。
1949年赴美國就讀於伊利諾伊大學，1953年獲得學士學位後又到史丹福大學學習。
1956年在史丹福大學獲得博士學位。1956年起，他跟隨肖克利在工業界共同從事固態電子學方面的研究。
1959年至1964年供職於仙童公司。
1964年他來到伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校任物理系和電子及計算機系教授達26年，培養出40名博士。
1988年起，他在佛羅里達大學擔任教授至今。
2000年當選為中國科學院外籍院士。
2010年廈門大學89年校慶之際接受聘任擔任廈門大學物理與機電工程學院教授。
薩支唐教授是改革開放以後最早與中國進行科技合作與交流的美國科學家之一。曾多次訪華，作了20餘次系列講座，先後指導了12名中國研究生，還多次協助在中國舉辦國際學術研討會。
主要成就
科研成就
研究領域
薩支唐主要從事微電子學研究。長期致力於半導體器件和微電子學研究，在上世紀60年代末首先提出CMOS結構，對發展電晶體、積體電路以及可靠性研究做出了里程碑性質的貢獻。
薩支唐教授長期致力於半導體器件和微電子學研究，對發展電晶體、積體電路以及可靠性研究作出了里程碑性質的貢獻。他提出了半導體p-n結中電子-空穴複合理論。開發了半導體局域擴散的平面工藝和MOS、CMOS場效應電晶體，並提出MOS電晶體理論模型。發明了探測半導體中微量缺陷的深能級瞬態譜（DLTS）方法。發現了氫在矽中對受主雜質的鈍化作用。近期致力於亞微米MOS電晶體的可靠性研究。
在仙童公司期間，薩支唐帶領一個64人的研究組從事第一代矽基二極體、MOS電晶體和積體電路的製造工藝研究，是半導體工業先驅之一。他提出了半導體p-n結中電子-空穴對複合理論，和其他科學家共同開發出MOS、CMOS場效應電晶體，還提出了MOS電晶體模型。此外，他還發明了深能級瞬態譜方法用於探測半導體內的缺陷。目前他的研究方向主要是在亞微米MOS電晶體的可靠性研究。目前，薩支唐已發表了大約280篇學術論文，並應邀做了約170次學術演講。
榮譽表彰
半導體工業協會（SIA）最高獎（1998）等多項獎勵。
美國工程院院士
中央研究院院士
中國科學院外籍院士
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薩支唐廈門大學圖書館薩本棟紀念特藏庫的一個重要組成是薩支唐教授（Professor Tom Chih-tang sah）自1960年代以來的個人及其學生的科學研究檔案。自2000年起，薩教授花費了大量的時間、精力和費用，陸續將這批資料從佛羅里達大學運來廈門大學本館收藏。2009年11月28日上午，從美國來校參加“全國首屆積體電路設計前沿技術短訓班”的薩支唐教授在蕭德洪館長、陳小慧副館長陪同下親臨特藏庫，仔細察看“薩支唐教授科學研究檔案專架” 的整理情況，並就今後繼續捐贈資料及小型設備事宜與館領導交換意見。在薩教授的引薦下，12月4日上午，（台灣）力旺電子股份有限公司董事長徐清祥博士前來參觀，驚喜地在專架上找到自己在上世紀80年代師從薩支唐教授學習時的論文、實驗報告等，對我們的工作高度讚賞，欣然提筆在當年的實驗報告上籤名留念。
2009年11月25日，2009年IEEE電子器件與固體電路國際學術會議（IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuit 2009，簡稱EDSSC2009）在西安隆重召開。本次會議由 IEEE 電子器件學會和固體電路電路學會授權，IEEEEDS西安分會，陝西省積體電路行業協會，西安電子科技大學和西安市積體電路產業發展中心共同組辦。
大會開幕式由IEEE EDS副主席、西安交通大學 教授、西安市科學技術局局長徐可為主持，IEEEEDS主席、美國中佛羅里達大學教授 J. J. Liou致開幕詞，西安電子科技大學副校長 郝躍教授致歡迎詞，西安市高新區管委會副主任趙璟致賀詞，近150名來自世界各國的研究學者出席了開幕式。
應EDSSC2009委員會的邀請，國際著名專家、美國佛羅里達大學教授、美國國家工程院院士、中國科學院外籍院士、台灣“中研院” 院士薩支唐教授首先做了“The Complete SemiconductorTransistor”的特邀主題報告。三星公司副總裁 Dr. Byeong-Ha Park 做了題為 “The Future Development of Mixed Signal IC in Nanotechnology” 主題報告。這兩個主題報告向與會者傳遞了目前國際上新的發展趨向，引起與會者的極大興趣和高度評價
個人生活
薩支唐是福州薩氏家族成員，其父薩本棟是第一屆中央研究院院士、廈門大學前校長，他還有一位弟弟薩支漢是紐約州立大學石溪分校的數學教授。
