脈衝真空電弧離子源

脈衝真空電弧離子源利用真空脈衝電弧放電使陰極材料蒸發並電離，採用脈衝真空電弧離子鍍技術來研製類金剛石薄膜，由於在整個工藝過程中只產生純電漿，膜層性能穩定。

定義

脈衝真空電弧離子源，也稱為脈衝電漿發生器或脈衝多弧離子源。它可在高真空下(3X10-3Pa以上)，利用真空脈衝電弧放電使陰極材料蒸發並電離，形成純淨的電漿，沉積在基片上之後形成所需膜層。由於在整個工藝過程中只產生純電漿，膜層性能穩定，可在低溫下生成表面光滑細緻且附著力極好的高質量膜層。

描述

該離子源可用於各類金屬膜、合金膜以及類金剛石薄膜的鍍制。採用脈衝真空電弧離子鍍技術來研製類金剛石薄膜，不需要氫及其它含氫化合物，所以獲得的膜層中不含氫，這一新技術目前在國內只有我院獨家掌握。採用這一新技術鍍制類金剛石薄膜的主要優點有： (1)膜層性能穩定；(2)3．4／μm處無吸收峰。
主要技術指標：脈衝真空電弧離子源工作條件及相關參數：真空度： 5X10-2Pa～以上；陰極工作電壓： 60～400伏 ； 起弧極工作電壓： 300～800伏；脈衝頻率： 1—10Hz