溝道摻雜技術

g，溝道摻雜 -MOSFET，為了增大閾值電壓，需要摻入p型雜質，為了得到耗盡型MOSFET就需要摻入n 型雜質。

Channel doping，溝道摻雜
這是製造MOSFET時所採取的一種工藝技術，就是在柵極氧化膜形成之後，在溝道區域通過離子注入技術把少量的施主或受主雜質離子（濃度為1011~1012/cm2）注入進去，以用來調整器件閾值電壓的大小，這就稱為溝道摻雜；對於n-MOSFET，為了增大閾值電壓，需要摻入p型雜質，為了得到耗盡型MOSFET就需要摻入n型雜質。