若在矽中摻入III族元素雜質,(如硼B,鋁Al,鎵Ga,銦In等),這些III族雜質原子在晶體中替代了一部分矽原子的位置,由於它們的最外層只有3個價電子,在與矽原子形成共價鍵時產生一個空穴,這樣一個III族雜質原子可以向半導體矽提供一個空穴,而本身接受一個電子成為帶負電的離子,把這種雜質稱為受主雜質。
在本徵半導體中摻入某種特定的雜質(摻雜),成為雜質半導體後,可以使其導電性能發生質的變化。
根據所摻元素的不同,又可將摻雜後的半導體分為N型半導體(摻入5價元素)和P型半導體(摻入3價元素)
相關詞條
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受主雜質電離能
受主雜質電離能是指使空穴掙脫受主雜質的束縛成為導電空穴所需要的能量。
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受主
受主即為摻入半導體中的一類雜質,它能接受半導體中的價帶電子,產生同數量的空穴,從而改變半導體的導電性能。 例如,摻入半導體鍺和矽中的三價元素硼、銦、鎵等...
定義 受主能級 相關知識 -
雜質
雜質在藥學中是指藥物中存在的無治療作用或者影響藥物的穩定性、療效,甚至對人體的健康有害的物質。在藥物的研究、生產、貯存和臨床套用等方面,必須保持藥物的純...
雜質的來源 雜質對藥物安全性的影響 雜質的控制 基因毒性雜質的分析 -
受主能級
受主能級--屬於一種電學現象,一個能級不被電子占據時呈中性,被電子占據時帶負電,則被稱為“受主能級”。
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施主-受主對發光
施主-受主對發光 正文固體中形成近鄰或較近鄰的施主-受主對,電子從施主到受主的躍遷所發出的光。施主及受主的濃度要足夠高才能形成對。 施主-受主對(以下簡稱D-A對)的電子躍遷能量E(r)為 式中Eg在帶隙...
施主-受主對發光 正文 配圖 相關連線 -
深能級雜質
深能級雜質屬於半導體物理學範疇。深能級雜質指雜質電離能大,施主能級遠離導帶底,受主能級遠離價帶頂。
簡介 Ge和Si中的的深能級雜質 GaAs中的深能級雜質 GaP中的深能級雜質 -
雜質半導體
在本徵半導體中摻入某些微量元素作為雜質,可使半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素。摻入雜質的本徵半導體稱為雜質半導體。製備雜質半導...
基本原理 本徵半導體 分類 -
雜質電離能
雜質電離能(Ionization energy)是指半導體中雜質原子上的價電子從價鍵上被激發到導帶或者價帶中而成為載流子(分別產生電子或者空穴)所需要的...
(1)施主和受主雜質: (2)複合中心和陷阱中心雜質: -
雜質能級
半導體材料中的雜質使嚴格的周期性勢場受到破壞,從而有可能產生能量在帶隙中的局域化電子態,稱為雜質能級。 對於雜質和主晶格原子價電子相差1的施(受)主雜質...
半導體物理釋義 半導體物理中的套用