詞目:溝道技術
英文:channeling technique
釋文:固體中原子的排列決定其性質,在單晶中原子是按一定的規律有序地排列的。當一束高度準直的帶電粒子束入射到單晶靶上,在入射角小於某臨界角時,由於受到晶格原子周期庫侖勢的制約,入射離子只能在晶面(原子列)之間振盪前進,從而它們與晶格原子核相互作用的近距碰撞事件的幾率比非晶靶小得多(小20~30倍),這種效應被稱為晶體的溝道效應。束的溝道成分起探針的作用,它能探測從晶格替代的位置上位移超過大約0.01~0.02納米的基體原子或雜質原子。利用與背散射分析相同的原理,可以測定位移的基體原子數(損傷量)、非替位的雜質原子數及其深度分布。當發生溝道效應時,大部分入射離子被引導通過由原子列或原子面所形成的溝道,這些受溝道引導的粒子不能同原子核發生大角度盧瑟福散射,因此,來自襯底的散射大為削弱(約100倍),使表面上輕元素雜質的離子散射靈敏度得以提高。主要用於研究晶體中雜質原子的位置、晶格損傷、晶體溝道及其精細結構、表面非晶態和缺陷、單晶表面的無定形層、多晶薄膜等。
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