深亞微米積體電路

深亞微米積體電路技術主要包括紫外光刻技術、電漿刻蝕技術、離子注入技術、銅互連技術（不是同互連）等。目前，國際上積體電路的主流生產工藝技術為0.032μm-0.045μm。

深亞微米積體電路：通常把0.35-0.8μm及其以下稱為亞微米級，0.25um及其以下稱為深亞微米，0.05um及其以下稱為納米級。深亞微米製造的關鍵技術主要包括紫外光刻技術、電漿刻蝕技術、離子注入技術、銅互連技術（不是同互連）等。目前，國際上積體電路的主流生產工藝技術為0.032μm-0.045μm。