江穎

江穎

江穎,男,1982年生於四川樂山,2003年本科畢業於北京師範大學物理系,2008年在中國科學院物理研究所獲理學博士學位,2006年到2007年為德國尤里希研究所(Forschungszentrum Jülich GmbH)訪問學者,2008年到2010年在美國加州大學歐文分校(UC,Irvine)從事博士後研究,2010年被聘為北京大學國際量子材料中心副研究員,博士生導師。

基本信息

人物經歷

江穎(左)江穎(左)
2010年到2011年為中科院物理研究所客座研究員,2011年開始開始擔任中科院物理所表面物理國家重點實驗室學術委員會委員。2012年入選國家首批“青年拔尖人才支持計畫”。2013年晉升為北京大學國際量子材料中心研究員。

研究方向

實驗手段:低溫掃描隧道顯微鏡(LT-STM),非接觸式原子力顯微鏡(NC-AFM),分子束外延(MBE),飛秒雷射技術(fs-Laser)。

研究對象:表面上的單原子/分子,低維量子材料。

研究內容:原子尺度上的電、聲、光、磁等特性,以及非平衡超快動力學過程。

當前課題

1.超快掃描隧道顯微鏡系統的研製和套用。

2.水分子與鹽、氧化物表面的相互作用。

3.單個分子/納米結構光學性質的量子調控。

主要成就

單分子體系

1.單分子操縱:在複雜功能化分子中實現了化學鍵的選擇性操控,在單分子水平上揭示了分子的電子結構在化學反應過程中的演化,為分子電子學的研究提供了重要參考

2.單分子的振動-自鏇耦合:在實空間對單個分子振動態和自鏇態的分布進行了高分辨成像,給出了不同的振動模式與自鏇之間耦合的選擇定則,揭示了電子-電子相互作用和電子-聲子相互作用之間的內在聯繫

3.單分子在光場下的回響:在STM隧道結中引入雷射,原位實時研究了單個分子的電荷態在雷射光場下演化的動力學過程,揭示了利用雷射誘導的等離激元調控單分子電荷態的可能性,展示了超快雷射技術和掃描探針技術相結合的可能性)

二維體系

1.二維強關聯體系:利用模板襯底和低溫技術製備出了一種新奇的二維近藤晶格,並在亞納米尺度進行了實空間成像,測量了近藤共振態在實空間的分布,揭示了近藤效應與周期性晶格的內在關聯,為人工近藤晶格的量子調控研究提供了可能。

2.二維金屬:利用界面裁剪技術,在半導體襯底上實現了單原子層體相金屬薄膜的生長,突破了長期以來金屬在半導體表面生長時所遇到的瓶頸(無序和重構),為二維電子氣系統的研究提供了又一個理想和有趣的平台。

3.二維半導體:發現了一種理想的單原子層半導體,研究了其中Si摻雜原子空間分布的統計漲落所引起的納米尺度下勢起伏,並揭示了納米尺度勢起伏的物理本質,為未來基於電荷的量子器件的設計和實現提供了重要依據。

出版著作

在Science,Nature子刊,Nano Lett.等雜誌上發表多篇文章。近期代表性論文包括:

1.Y.Jiang,Q.Huan,L.Fabris,G.C.Bazan,and W.Ho,“Submolecular control,spectroscopy,and imaging of bond-selective chemistry in single molecules”,Nature Chemistry DOI:10.1038/NCHEM.1488(2012).(Reported as research news by Royal Society of Chemistry in UK)

2.Ph.Ebert,S.Landrock,Y.Jiang,K.H.Wu,E.G.Wang,and R.E.Dunin-Borkowski,“Electronically Nonalloyed State of a Statistical Single Atomic Layer Semiconductor Alloy”,Nano Lett.12, 5845(2012).

3.Y.Jiang,J.X.Cao,Y.N.Zhang,R.Q.Wu,and W.Ho,“Real-space imaging of Kondo Screening in a two-dimensional O2 lattice”,Science 333, 324(2011).(Featured in Nature Nanotechnology 6,461(2011) and Science 333,266(2011).Selected for publication in Virtual Journal of Nanoscale Science&Technology)

4.Y.Jiang,J.D.Guo,Ph.Ebert,E.G.Wang,and K.H.Wu,“Locally probing the screening potential at a metal-semiconductor interface”,Phys.Rev.B 81,033405(2010).

5.Y.Jiang,Y.Kim,S.B.Zhang,Ph.Ebert,S.Y.Yang,K.H.Wu and E.G.Wang,“Growing extremely thin bulklike metal film on asemiconductor surface:Monolayer Al(111) on Si(111)”,Appl.Phys.Lett.91,181902(2007).

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