相關詞條
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超晶格
1970年美國IBM實驗室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念．他們構想如果用兩種晶格匹配很好的材料交替地生長周期性結構 ，每層材料的厚度在100nm以下，...
定義 分類 半導體特性 超晶格背景知識 套用 -
晶格常數
晶格常數（或稱之為點陣常數）指的就是晶胞的邊長，也就是每一個平行六面體單元的邊長，它是晶體結構的一個重要基本參數。 晶格常數（英語：lattice co...
相關特性 相關簡介 晶格匹配 格的分級 相關問題 -
半導體超晶格國家重點實驗室
半導體超晶格國家重點實驗室，於1988年3月由國家計委組織專家論證並批准後開始籌建，1990年開始對外開放，1991年11月通過了由國家計委組織的驗收委...
基本簡介 學術委員會 科研隊伍 學術活動 研究方向 -
晶格失配
晶格失配是指由於襯底和外延層的晶格常數不同而產生的失配現象
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半導體超晶格
半導體超晶格是指由一組多層薄膜周期重複排列而成的單晶。多層薄膜中各層厚度從幾個到幾十個原子層範圍。各層的主要半導體性質如帶隙和摻雜水平可以獨立地控制。多...
半導體物理釋義 物理擴展釋義 -
贗晶生長技術
若襯底和外延薄膜的晶格常數分別為a2和a1時，其晶格的失配率則為D=|a1-a2|/a1。 則Si(1-x)Ge(x)合金薄膜的晶格失配率D也與其中的G...
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外延生長
外延生長是指在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時...
原理 過程 質量檢測 工藝進展 -
薄膜生長
《中國科學院研究生教學叢書》是2001年科學出版社出版的圖書，作者是吳自勤、王兵、孫霞等。
內容簡介 書籍目錄 -
礦物生長
growth 晶核成長為結晶的過程。 生物礦物生長還受細胞、有機基質等的調控。
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外延生長工藝
方一向再生長一層晶格完整、且可以具有不同的雜質濃度和厚度的單晶層的工藝...特性外延生長工藝epitaxy growth technology利用...。外延層可以和原單晶片具有不同的導電類型，利用這一特性，可以通過外延生長來...
