當在某種單晶襯底上生長另一種物質的單晶層時,由於這兩種物質的晶格常數不同,會在生長界面附近產生應力,進而產生晶體缺陷——失配位錯.通常把這種由於襯底和外延層的晶格常數不同而產生的失配現象叫晶格失配
晶格失配度 (以下簡稱失配度 ), 即晶格錯配度 ,是描述襯底和外延膜晶格匹配的參量。晶格失配和熱膨脹係數失配不同程度地影響晶體的外延生長 ,在外延層中產生大量缺陷, 甚至無法生長單晶 ,影響器件的性能和壽命。
晶格失配是指由於襯底和外延層的晶格常數不同而產生的失配現象
當在某種單晶襯底上生長另一種物質的單晶層時,由於這兩種物質的晶格常數不同,會在生長界面附近產生應力,進而產生晶體缺陷——失配位錯.通常把這種由於襯底和外延層的晶格常數不同而產生的失配現象叫晶格失配
晶格失配度 (以下簡稱失配度 ), 即晶格錯配度 ,是描述襯底和外延膜晶格匹配的參量。晶格失配和熱膨脹係數失配不同程度地影響晶體的外延生長 ,在外延層中產生大量缺陷, 甚至無法生長單晶 ,影響器件的性能和壽命。
有著重要的套用:一是製作晶格失配的異質結的需要(這是發展HBT等異質結器件...的、極其活躍的重要領域,甚至對於光電子技術的發展也具有重要意義。(1)晶格失配異質結的製作:由兩種晶格常數不相等(晶格失配率大於1%)的晶體所構成...
基本概念 套用贗晶體就是晶格存在畸變的晶體。一般,贗晶體是生長在晶格失配(晶格常數不同)的襯底上的薄膜材料。贗晶生長技術是製備高質量的晶格失配異質結...的晶格常數失配時,則生長層中就存在應力、積累有應變能,並且這種能量隨著生長...
可以將晶格和熱失配的缺陷局限在襯底上,並且為開闢新的材料體系打下基礎...晶格的失配率高達25%,但是由於其六方對稱,熔點為2050℃,最高...,(111)面MgAl2O4晶體與GaN晶格的失配率為9%,具有優良的熱穩定性和...
繪圖襯底 材料簡介 材料選用 材料評價特性好,外延材料與襯底的晶體結構相同或相近、晶格常數失配度小、結晶性能好...:外延材料與襯底材料的晶體結構相同或相近、晶格常數失配小、結晶性能好...的缺點,直接將LED結構生長在透明襯底上,但缺點是晶格失配,需要利用緩衝層來...
簡介 發展 紅黃光 藍綠光5.1.4 氯化鈉結構 5.2 基本考慮 5.2.1 晶格失配 5.2.2 熱失配 5.2.3 內擴散 5.3 製備方法...、異質結製備、位錯與彈性應變、寬頻隙半導體材料、異質結雷射器、超晶格與多量子...
內容簡介 目錄概述組成半導體異質結的兩種材料的晶格失配時,在界面處會產生位錯缺陷,對異質結器件的性能有不利影響。在一種材料襯底上外延另一種晶格常數不匹配的材料時,只要兩種材料的晶格常數相差不是太大,外延層的厚度不超過某個臨界值時...
概述 應變異質結的生長及弛豫過程面的晶格失配 2.3異質結的生長 2.3.1液相外延法(LPE...、半導體異質結的光電特性、氮化鎵異質結、超晶格和多量子阱。 本書可供已...的組成與生長 2.1材料的一般特性 2.1.1晶格結構...
圖書相信 內容簡介 目錄界面上的原子正好位於兩晶體的晶格結點上,就形成了共格晶界;當兩個晶粒...(圖6-30)。 (2)半共格界面 對於半共格界面,需要引進點陣失配度的概念。點陣失配度δ定義為: (6-49)式中:a 和aβ分別是α和β相無...
簡介 共格界面理論 晶界結構模型GaN行業發展的瓶頸。目前常用的襯底為藍寶石(晶格失配為13%,熱失配34...巨大的晶格失配和熱失配。若用GaN做成其它器件,如雷射器二極體或是大面積...向原子 a =0.3189n c = 0.5185nm;立方GaN的晶格...
1背景介紹 2 概述 3 國內外研究進展.