外延生長工藝

特性

外延生長工藝epitaxy growth technology利用晶體界面上的二維結構相似性成核的原理，在一塊單晶片上，沿著其原來的結晶軸方一向再生長一層晶格完整、且可以具有不同的雜質濃度和厚度的單晶層的工藝。外延有同質外延和異質外延之分，可以採用隔離性能優良的絕緣材料作外延襯底。外延層可以和原單晶片具有不同的導電類型，利用這一特性，可以通過外延生長來直接製備p-n結。外延生長法有氣相外延、液相外延和分子束外延等。要求基質的晶面與薄膜的晶面很好地匹配，以保證得到均勻、穩定的單晶薄膜，並使膜在溫度變化過程中不脫落。