模式結構
纖綠半導體雷射模組雷射器的模式結構可從光譜測量和近場觀察中看出。縱模是光譜的主要結構,雷射器一般是多縱模的,各模之間的間隔與腔長有關,腔長越長則縱橫間距越短,縱模間距一般為幾個埃，橫模也可從光譜的精細測量中得到。雷射器輸出光譜的三種典型結構見圖1、2、3。圖1是單橫模、單縱模雷射器的輸出光譜，只有一個峰值，光譜的半寬度與腔的結構有關，對法布里-珀羅諧振腔，單縱模半寬度為2～3埃。圖2是單縱模、多橫模結構，有二個峰值，對應於雷射器有一階橫模存在，橫模間距不足1埃。圖3是多橫模、多縱模的光譜結構。橫模也可從雷射器的近場觀察中看出，如果腔面只有一個光強分布的最大值(即一個亮點)，則器件在基橫模下工作；如在水平方向存在二個亮點，則器件有一階側向橫模存在，亮點增多，高階橫模的階數增大。
選擇方法
合併圖冊模式控制是雷射器研究的主要課題之一。橫模 由腔的大小和腔內外折射率的差別決定。波導模式的有效折射率與腔的厚度和寬度有關，厚度和寬度越小則有效折射率越低，而在波導中傳播的各階橫模的有效折射率隨著模階數的增大而減小。基橫模的有效折射率最大，所以能控制腔的厚度和寬度，使高階橫模的有效折射率低於或等於腔外介質的折射率，使之漏出腔外，這樣光腔中便只存在基橫模振盪。對於InGaAsP/InP雙異質結雷射器,當有源區厚度小於0.5微米時就能得到單一垂直基橫模。側向橫模由採用的條形結構決定，對於發射波長為1.3微米的InGaAsP/InP雙異質結隱埋結構,用InP作埋區，實驗上條寬小於2微米就能得到單側向橫模的輸出。
縱模的選擇比較困難，除了與腔的大小有關外，還依賴於增益分布和腔面反射對模式的選擇。在器件結構上用光柵選模是很有效的方法。把光柵做在有源區上面（或下面）的包層中的稱分布反饋結構，把光柵做在有源區二端用於代替端面反射鏡的稱分布反射結構，這兩種結構都能得到單縱模輸出，但製備的工藝技術要求相當高。另外也可採用外腔結構式注入鎖模，得到頻寬窄的單模輸出。
