簡介
助熔劑法又稱高溫熔體溶液法，它是將晶體的成分在高溫下溶解於低熔點的助熔劑熔體中，形成飽和溶液。然後通過緩慢降溫等方法，形成過飽和溶液，而使晶體結晶。
助熔劑法的優點是適用性強，要求的溫度低，因此設備相對簡單。缺點是，晶體生長速度慢，生長周期長，且有此助熔劑有毒性和腐蝕性，容易污染環境。
裝置與晶體生長過程
助熔劑法的生長裝置比較簡單。主要包括坩堝、加熱器和控溫設備以及生長寶石所需的原料、助熔劑和籽晶等。
助熔劑法所用的坩堝一般用耐腐蝕的鉑金坩堝。助熔劑法所要求的溫度不高，可用電爐絲作發熱元件。溫度場可通過爐絲的分布來控制。助熔劑的選擇是助熔劑法的一個關鍵。作為助熔劑，一個基本的要求是它熔化後能溶解待生長的晶體，且不易分解揮發。以下以紅寶石為例說明助劑法生長寶石的過程。
原料：Al2O3+Cr2O3
助熔劑:Na2AlF6
生長溫度：980-1050℃
生長過程：將助熔劑和原料混合後放入坩堝並均勻熔化。然後保持溫度980-1050℃，溫差20℃。而後，爐溫以0.5-1℃的速度下降，Al2O3達到過飽和，從熔體中析出。隨著溫度的下降，晶體不斷生長。助熔劑法的生長速度較慢，整個過程完成約需要一年左右。
助熔劑法的晶體生長過程類似於自然界的晶體從岩漿中結晶的過程，因此生長的寶石晶體特點接近於天然寶石，不易區別。
助熔劑法合成寶石中所含有的有助於鑑別的特點是它可能含有助熔劑的殘餘以及從坩堝壁上掉下來的鉑金片等包裹體。
