因為離子注入後,使物體表面排列整齊的晶格發生畸變,形成了密結的位錯網,這網,使物體表面得到強化。
Frank-Read
位錯增殖機制在晶體中是廣泛出現的
即兩端固定的位錯在晶體中是廣泛出現的
那么不同滑移面面上的位錯相遇就會形成三維位錯網
位錯網,是因為離子注入後,使物體表面排列整齊的晶格發生畸變,形成了密結的位錯網。因為離子注入後,使物體表面排列整齊的晶格發生畸變,形成了密結的位錯網,這網,使物體表面得到強化。
因為離子注入後,使物體表面排列整齊的晶格發生畸變,形成了密結的位錯網,這網,使物體表面得到強化。
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位錯增殖機制在晶體中是廣泛出現的
即兩端固定的位錯在晶體中是廣泛出現的
那么不同滑移面面上的位錯相遇就會形成三維位錯網
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯開。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。
簡介 外加應力使位錯運動 高溫退火, 位錯運動與重新分布 位錯列蝕斑散開分布位錯密度定義為單位體積晶體中所含的位錯線的總長度,單位是1/平方厘米 。位錯密度的另一個定義是:穿過單位截面積的位錯線數目,單位也是1/平方厘米 。
位錯密度的定義 位錯密度的測定 位錯密度對材料力學的影響 位錯的形態特點對於高層錯能金屬及合金(如Fe、Al合金),晶粒細化通過位錯的產生和運動形成位錯牆。退火時,會消除板材內部的殘餘應力和內應變,並推動位錯的運動,在運動過...
簡介 資料來源及地質背景 金元素在位錯牆中的分布特徵 總結位錯的增殖機制主要也有三種機制:弗蘭克-里德位錯源(Frank-Read source)機制、雙交滑移增殖機制,和攀移增殖機制。
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