英文名:dislocation density
在通常的晶體中都存在大量的位錯,而這些位錯的量就用位錯密度來表示。
位錯密度定義為單位體積晶體中所含的位錯線的總長度。位錯密度的另一個定義是:穿過單位截面積的位錯線數目,單位也是1/平方厘米。
相關詞條
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位錯
位錯又可稱為差排(英語:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬...
位錯的幾何概念 位錯分類 位錯形式 特徵 位錯的觀測 -
位錯理論
位錯又可稱為差排(英文:dislocation),在材料科學中,指晶體材料的一種內部微觀缺陷,即原子的局部不規則排列(晶體學缺陷)。從幾何角度看,位錯屬...
定義 位錯的幾何概念 位錯的觀測 位錯源 位錯的滑移與晶體塑性 -
位錯增殖
位錯增殖,是晶體中的位錯在一定形式的運動中,自身不斷產生新的位錯環或大幅度增加位錯線長度,從而使材料中的位錯數目或位錯密度在運動中不斷增大的過程。錯增殖...
內容介紹 -
60度棱位錯
"③位錯所造成的晶格畸變是散射載流子的中心
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位錯芯
位錯芯是研究晶格常數不匹配的異質結SiGe/Si生長過程中低溫緩衝層內缺陷對位錯運動的影響,使用位錯偶極子模型在Si晶體內建立了一對30°部分位錯,和導...
概述 作用 相關詞條 -
晶體位錯
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通...
基本概念 相關影響 -
層錯
層錯,是指矽單晶沿方向生長,原子排列次序一定是 AA’BB’CC’…,但是由於某種原因,原子排列不按正常次序生長AA’BC’AA’BB’CC’…,這樣原...
對電子器件的影響 成核位置 -
乳腺錯構瘤
乳腺錯構瘤是由脂肪組織、纖維組織、乳腺導管和乳腺小葉多種組織成分混合生長而成,是臨床上比較少見的特殊類型的乳腺良性腫瘤。多發生於40歲以上女性。
發病原因 發病機制 臨床症狀 鑑別診斷 輔助檢查 -
小兒下丘腦錯構瘤
小兒下丘腦錯構瘤所屬疾病,主要見於兒童及嬰幼兒,臨床上極為罕見。有性早熟,痴笑樣癲癇,有些可伴有其他類型癲癇或行為異常。
概述 病因 症狀 飲食保健 預防