基本信息
IUPAC 名稱：dioxohafnium
元素含量比重：O (oxygen) 15.2% 、Hf (hafnium) 84.8%
二氧化鉿 分子結構二氧化鉿 分子結構
密度：9.68g/cm3
熔點：2758℃
摩爾質量：210.49 g/mol
CAS 號： 12055-23-1
蒸發壓力：在2678℃時1Pa；在2875℃時10Pa
線膨脹係數：5.6×10-6/K
溶解度：不溶解於水
純度:99.99
薄膜特性：透光範圍～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15 （500nm）～2
蒸發條件：用電子槍，氧分壓～1～2×10-2Pa。蒸發溫度～2600～2800℃，基片溫度～250℃，蒸發速率2nm/s
套用領域:UV增透膜，干涉膜
性質
白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結構。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。
熔點2780～2920K。沸點5400K。熱膨脹係數5.8×10-6/℃。不溶於水、鹽酸和硝酸，可溶於濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解製取。為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性塗料和催化劑。
套用
二氧化鉿(HfO₂)是一種具有寬頻隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業界特別是微電子領域被引起極度的關注，由於它最可能替代目前矽基積體電路的核心器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化矽(SiO₂)，以解決目前MOSFET中傳統SiO₂/Si結構的發展的尺寸極限問題。
