pn結耗盡層

pn結耗盡層是半導體器件中採用最廣泛的一個概念，即認為pn結的空間電荷區是一個完全不存在載流子的區域，稱為pn結耗盡層；這實際上對於一般的pn結都是一種很好的近似。不管是在分析pn結的勢壘電容、還是分析pn結的擊穿特性時，無不採用這個耗盡層近似的概念，因為如果不採用該近似的話，問題就變得很複雜，幾乎難以進行精確的分析處理。

pn結的空間電荷區中存在有較強的內建電場，其中的載流子基本上都被該內建電場驅趕出去了，因此，通常可以認為空間電荷區中的電荷幾乎完全是由電離雜質中心所提供的，即主要是電離的施主和受主雜質中心的電荷，這種空間電荷區就稱為耗盡層（意即其中的載流子——電子和空穴都被耗盡了）。

對於一般的pn結，通常在空間電荷層中的載流子數量不會太多，因此常常可以近似認為空間電荷層中的電荷絕大多數是由電離雜質中心所提供的，即可簡單地把空間電荷層近似地看成是耗盡層，這就是所謂的耗盡層近似 。