基區寬度調變效應

雙極電晶體基區寬度調變效應（或稱基區寬變效應），即基區有效寬度隨外加電壓變化而變化的現象。 隨著反偏電壓的升高，集電結空間電荷區寬度增加，使有效基區寬度減小，而當反偏電壓降低，集電結空間電荷區寬度隨之減小，導致有效基區寬度增加。 這種基區有效寬度隨外加電壓變化而變化的現象就稱為基區寬度調變效應，也稱厄爾利(Early)效應

基本概念

雙極電晶體基區寬度調變效應（或稱基區寬變效應），即基區有效寬度隨外加電壓變化而變化的現象。

厄爾利(Early)效應

PN結空間空間電荷區的寬度由外加電壓、雜誌濃度等決定。當電晶體處於放大工作狀態時，發射結處於正向偏置，集電結處於反向偏置，而且反偏電壓VCB較高。隨著反偏電壓的升高，集電結空間電荷區寬度增加，使有效基區寬度減小，而當反偏電壓降低，集電結空間電荷區寬度隨之減小，導致有效基區寬度增加。則Ic變小。這種基區有效寬度隨外加電壓變化而變化的現象就稱為基區寬度調變效應，也稱厄爾利(Early)效應