突變pn結

/ε= ND ND)

在冶金界面處雜質濃度突變（ND → NA）的p-n結稱為突變結。如果一般的摻雜濃度遠大於另一邊，則p-n結勢壘區主要是在輕摻雜一邊，這種突變結即稱為單邊突變結。例如BJT的發射結往往就可以當作為突變結。在耗盡層近似下，突變p-n結中的內建電場呈線性分布（三角形），最大電場出現在界面（x=0）處，為:
Em = ( q NA xP ) /ε= ( q ND xn ) /ε；
內建電勢為: Vbi = Em W / 2 ；
勢壘厚度為: W = xn + xP = { 2ε( NA + ND ) Vbi / ( q ND NA ) }1/2 ，即耗盡層寬度( W )與勢壘高度( q Vbi ) 直接有關。
特別, 對單邊突變的p-n結，因為NA≥ND，則有：
W ≈ xn = [ 2εVbi / (q ND) ]1/2 ，Em = ( q ND W ) /ε。