內建電場只存在於空間電荷區,空間電荷區沒有自由的載流子,內建電場完全由摻雜離子引起;電中性區,沒有內建電場,多子濃度仍處於熱平衡狀態,少子濃度的變化引起電流J。
相關詞條
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pn結耗盡層
pn結耗盡層是半導體器件中採用最廣泛的一個概念,即認為pn結的空間電荷區是一個完全不存在載流子的區域,稱為pn結耗盡層;這實際上對於一般的pn結都是一種...
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全控型器件
,ID與UGS的關係近似線性,曲線的斜率定義為跨導Gfs。(2)MOSFET...反向偏置,耗盡層有一定寬度,ID=0。若|UGS| 增大,耗盡層變寬,溝道被壓縮,截面積減小,溝道電阻增大;若|UGS| 減小,耗盡層變窄,溝道...
簡介 門極可關斷晶閘管(GTO) 場效應管 絕緣柵雙極電晶體(IGBT) 總結 -
電力MOS場效應電晶體
MOSFET的轉移特性。 ID較大時,ID與UGS的關係近似線性,曲線的斜率...結處於反向偏置,耗盡層有一定寬度,ID=0。若|UGS| 增大,耗盡層變寬,溝道被壓縮,截面積減小,溝道電阻增大;若|UGS| 減小,耗盡層變窄...
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勢壘電容
近似為耗盡層,故勢壘電容往往也稱為耗盡層電容。 耗盡層電容相當於極板...的載流子通過勢壘區,耗盡層近似不再成立,則通常的計算公式也不再適用;這時...,引起積累在勢壘區的空間電荷的變化,即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少...
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半導體雪崩光電二極體
工作原理當一個半導體二極體加上足夠高的反向偏壓時,在耗盡層內運動...狀態;在此以前,只要耗盡層中的電場足以引起碰撞電離,則通過耗盡層的載流子...可以近似用下列經驗公式表示M=1/[1-(V/VB)n]式中VB是體擊穿...
工作原理 雪崩二極體的發明 影響回響速度的因素 優點 -
小注入
擴散。耗盡層的多數載流子已經全部耗盡,留下的電荷密度等於淨摻雜水平。當平衡達到時,電荷密度近似顯示為階梯函式,耗盡層與中立區的邊界相當陡峭...移動的帶電離子,失去了電中性變為帶電,形成了耗盡層(space...
簡介 PN結定義 PN結的形成 性質 -
矽片鍵合技術
負極方向漂移,在緊鄰矽片的玻璃表面形成耗盡層,耗盡層寬度約為幾微米。耗盡層...接觸。這樣外加電壓就主要加在耗盡層上。通過電路中電流的變化情況可以反映出靜...,鍵合完成樣品冷卻到室溫後,耗盡層中的電荷不會完全消失,殘存的電荷在矽中誘...
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JFET
耗盡層將加寬。由於N區摻雜濃度小於P+區,因此,隨著|vGS| 的增加,耗盡層將主要向N溝道中擴展,使溝道變窄,溝道電阻增大,如圖2(b)所示。當|vGS| 進一步增大到一定值|VP| 時,兩側的耗盡層將在溝道中央...
什麼是 JFET 結型場效應電晶體 FET的特點 工作原理 流iD的作用 -
勢壘
,空間電荷區可以採用所謂耗盡層近似(即認為空間電荷完全由電離雜質所提供的一種近似)。通過求解耗盡層近似下的Poisson方程,即可得到PN結勢壘...的;有時會在半導體表面形成載流子的耗盡層(阻擋層),出現表面勢壘,其伏安...
基本概念 勢壘的分類 勢壘貫穿