Kink效應

Kink效應是指場效應電晶體的漏極電流與漏極電壓的非飽和特性。

Kink效應，也就是翹曲效應（Kink effect）：這是有關MOSFET特性的一個問題。

產生的原因是由於在高的漏極電壓下，漏端附近的載流子會產生雪崩倍增，從而使漏極電流隨漏極電壓而迅速增加；把矽外延層連結到源電極上，則可明顯改善漏極電流－電壓的飽和特性。

對於矽/藍寶石（SOS）隔離、或者矽/絕緣體（SOI）隔離的MOSFET，還有另外一個原因，就是其上的外延矽沒有接地，即電位浮空性；當漏極的反偏pn結流過電流時，會使矽外延層的電位提高，從而增加了溝道電導，故隨著漏電壓的增大，漏電流也增大，形成非飽和特性。