封裝:T0-220
基本參數
類別:分離式半導體產品家庭:MOSFET,GaNFET-單
系列:HEXFET?
FET型:MOSFETP通道,金屬氧化物
FET特點:標準型
開態Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:200毫歐@8.4A,10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
電流-連續漏極(Id)@25°C:14A
Id時的Vgs(th)(最大):4V@250μA
閘電荷(Qg)@Vgs:58nC@10V
在Vds時的輸入電容(Ciss):760pF@25V
功率-最大:79W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3(直引線)
包裝:管件
供應商設備封裝:TO-220AB
其它名稱:*IRF9530NPBF