相關詞條
-
矽材料國家重點實驗室
矽材料國家重點實驗室（原名高純矽及矽烷國家重點實驗室）於1985年由原國家計委批准投資建設，1987年通過國家驗收，1988年正式對外開放，是國內最早建...
簡介 機構人員 研究方向 開放基金管理規定 人才培養 -
氮化鎵
GaN。材料簡介GaN材料的研究與套用是目前全球半導體研究的前沿和熱點...總述GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，熔點約為1700...GaN的光學特性。材料生長GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出...
基本信息 計算化學數據 性質與穩定性 合成方法 材料簡介 -
華南師範大學光電子材料與技術研究所
華南師範大學光電子材料與技術研究所（簡稱“材料所”）是專門從事光電子材料的MOCVD生長、性能分析、器件製備及套用的研究機構，是以劉頌豪院士、范廣涵教授...
研究所簡介 研發團隊 現任所長簡介 科研實力 實驗設備 -
襯底
材料的研究與開發增大字型復位寬頻隙的GaN基半導體在短波長發光二極體...的襯底是發展GaN基技術的重要目標。評價襯底材料要綜合考慮襯底與外延膜...的材料，其光躍遷幾率比間接帶隙的高一個數量級。因此，寬頻隙的GaN基半導體...
繪圖襯底 氮化物襯底材料 -
寬禁帶半導體材料
固體中電子的能量具有不連續的量值，電子都分布在一些相互之間不連續的能帶上。價電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶或帶隙。所以禁帶的寬度實際上...
半導體材料 矽材料的限制 寬禁帶半導體材料的發展 套用 -
發光材料
發光材料是指能夠以某種方式吸收能量，將其轉化成光輻射（非平衡輻射）的物質材料。物質內部以某種方式吸收能量，將其轉化成光輻射(非平衡輻射)的過程稱為發光。...
原理 結構 分類 套用 -
單晶材料
單晶材料是一種套用日益廣泛的新材料，由單獨的一個晶體組成，其衍射花樣為規則的點陣。
簡介 單晶製備方法： 新發展及其對生長技術的挑戰 -
半導體材料研究進展
《半導體材料研究進展》是2012年高等教育出版社出版的圖書，作者是王占國，鄭有炓。
內容簡介 作者簡介 目錄 -
新型電子薄膜材料
《新型電子薄膜材料》是化學工業出版社出版的一本圖書。本書既可作為相關專業高年級大學生及研究生的教學參考書，也可供廣大從事薄膜科學與技術的工程技術人員、科...
內容簡介 目錄 -
外延生長
進行評價要就襯底材料綜合考慮其因素，尋找到更加合適的襯底是發展GaN基...，溶質按基片晶向析出單晶。這種方法常用於外延生長砷化鎵等材料。⑤異質外延...寬頻隙的GaN基半導體在短波長發光二極體、雷射器和紫外探測器，以及高溫...
正文 氮化物襯底材料 外延襯底材料的研究與開發
