研究所簡介
現任所長為梅霆教授。在學校各級領導的幫助和材料所師生共同努力下，通過多年的實驗室建設，目前材料所已發展成為華南師範大學國家重點光學學科和光電子材料與器件方向的校直管重點科研機構。材料所現有省教育廳“電致光電重點實驗室”一個和“廣州市LED工業研究開發基地”一個。是中國半導體照明技術標準工作組成員，廣東省LED產業聯盟會員。材料所有光學、光學工程、微電子與固體電子學、材料物理與化學4個碩士點，光學、微電子與固體電子學2個博士點、1個光學博士後流動站。
華南師範大學光電子材料與技術研究所研發團隊
光電子材料與技術研究所有一支結構合理，經驗豐富的研發團隊，形成院士、教授（研究員、高工）和博士後、博士、碩士組成的攻關隊伍。目前，材料所擁有院士2人，教授5人，副高2人，中級人員4人。其中博導2人，碩導5人。材料所先後承擔了國家重點攻關項目4項、部、省級項目14項，市級項目2項，授權或受理專利超過41項，發表核心論文120餘篇。在LED器件的製備、器件結構設計和工藝方面積累了豐富的實踐經驗。在材料所師生共同奮鬥下，努力把材料所建設成為國內有影響力的重點光電研究單位，特別是高亮度大功率LED器件的研發。著力培養出更多合格的創新型高層次光電人才，為中國半導體照明產業服務 。
現任所長簡介
何苗，長期從事微光學器件設計製作和特殊光電材料的製備工作。1987年在吉林大學物理系獲理學學士學位，1990年在中國科學院北京物理研究所獲理學碩士學位，2001年在華中科技大學獲工學博士學位。2002年1月到2006年7月， 在新加坡南洋理工大學做博士後，從事採用solgel材料製作微光學器件的研究。2006年9月至今，在華南師範大學研究員，從事光電子技術和微光學技術的研究工作。迄今為止作為項目負責人主持過科研項目14項，其中國家級項目4項。獲得國家國防科技三等獎和湖北省自然科學二等獎各1次。在國內外雜誌上發表50多篇論文，其中34篇被SCI收錄。
科研實力
材料所的實驗室建設資金超過3000萬元，建有多個國內領先的光電材料研發實驗室，包括材料生長實驗室、結構分析實驗室、光譜分析實驗室、材料電性分析實驗室、器件可靠性分析實驗室、晶片工藝實驗室和LED套用研發實驗室等。材料所先後承擔國家、部、省和市級重大科技攻關項目16項，授權或受理專利超過41項，發表核心論文120餘篇。特別在發光器件的製備方向積累了多年實戰經驗，造詣深厚，超標完成“超高亮度LED和面發光半導體雷射器”和“藍綠白超高亮度發光二極體產業化試驗”的研製工作，生產出超高亮度紅、黃、橙LED，引起各級領導專家的關注和媒體的報導。材料所在藍光LED外延和晶片製備方面也獲得多項原創性成果，發表核心刊物的藍光LED論文有40餘篇，關於藍光LED器件的關鍵專利技術5項。
實驗設備
光電子材料與技術研究所的電致光電實驗室是省教育廳重點實驗室，現在材料所的實驗室面積超過5200平方米，分舊實驗大樓和新實驗大樓。其中新實驗大樓面積超過4000平方米.實驗室配置的設備包括從材料生長——器件檢測——晶片製備——套用開發的完整鏈條。實驗儀器設備價值超過人民幣3000萬元。
華南師範大學光電子材料與技術研究所研究方向
2007年底，材料所研製出的藍光LED外延片，經權威機構檢測，結果達到國際同行先進水平。目前，材料所主要研究工作有：1）半導體光電子材料與器件的研究，特別是超高亮度LED核心技術的研究工作，推動固體照明技術的產業化；2）薄膜微結構材料生長機理與技術研究，包括光子晶體、低維材料和薄膜生長的特性研究；3）光電子器件晶片工藝的研發，特別是大功率LED晶片製備方法研究。4）光電子器件套用工程學研究，包括LED顯示屏、LED照明和LED醫學和生物套用研究。
亮度LED外延片研製和產業化
（1）圖形襯底生長LED外延片研究；（2）表面光子晶體提升LED發光效率研究（3）電漿提升LED發光效率研究。
Si襯底半極性、非極性GaN薄膜生長與器件研製
（1）Si襯底半極性、非極性GaN薄膜生長；（2）Si襯底InGaN太陽能電池研製
新型LED晶片研製和產業化
（1）大功率LED晶片研製；（2）220V交流驅動LED晶片研製；（3）LED套用產品的研發
納米光子集成器件研製
有機發光材料的製備及器件研製
ZnO等納米材料的製備及性能研究
華南師範大學光電子材料與技術研究所廣東省LED基地
在廣州市科技局的支持下，在華南師範大學成立廣州LED工業研究開發基地。華南師範大學廣州市LED工業研究開發基地，主要從事照明級LED外延片、晶片、發光管和照明器具的研發和生產，公司設有研發中心和生產中心。LED基地將以半導體照明用LED的研究與產業化為主攻方向，研發能力涵蓋從紅外到紫外全波段的光電子材料與器件，技術手段包括MOCVD外延、晶片加工、器件設計製備及LED套用器材。
研發中心依託光電子材料與技術研究所。研發大樓面積4000平方米，實驗室建設資金超過3000萬元。擁有先進的GaAlInP基MOCVD系統和GaN基MOCVD系統各一台，有完整材料及器件特性檢測設備和一條研發兼生產的晶片加工線等設備。
2007年10月，研發中心完成GaN基MOCVD系統安裝、調試工作。2007年11月初，研發中心科研人員通過研製，製備出國際先進水平的藍光LED外延片，把該外延片的晶片封裝成藍光LED和白光LED，經中國賽寶國家實驗室檢測中心抽樣測量，測試結果表明：在標準晶片尺寸和20mA電流輸入下，藍光LED平均正向電壓為3.2V，光功率達到22mW，而白光LED的光功率達到15mW，流明效率超過69lm/W。
發展歷程
1997年12月，MOCVD實驗室正式建成。
1999年10月13日，為順利完成國家和廣州市的紅、橙、黃光LED的契約科研攻關任務，MOCVD實驗室和廣州經濟開放區永和公司成立了廣州亮達光電器件公司。
2000年11月，廣州亮達光電器件公司超額完成國家LED科技攻關項目和廣州市LED半工業化項目的研究工作。研究成果通過8院士專家的簽定，受到包括人民日報、羊城晚報、廣州日報和日本、韓國媒體的廣泛關注。
2000年11月底，MOCVD實驗室的電致光電器件實驗室獲批准為省教育廳重點實驗室。
2002年8月底，學校批准把MOCVD實驗室更名為光電子材料與技術研究所。
2004年8月，為推進半導體照明LED的產業化，華南師範大學光電子材料與技術研究所與香港健隆科技集團合作成立籌備“廣州市LED工業研究開發基地”的領導小組。
2004年11月，廣州市科技局大力支持“廣州市LED工業研究開發基地”科研項目攻關工作。給予該項目2000萬元的科研基金資助。
2006年，光電子材料與技術研究所成為校直管科研機構。
2007年1月20日，“廣州市LED工業研究開發基地”項目合作簽約正式儀式在華南師範大學校行政大樓七樓第二會議室舉行。
2007年5月28日，廣州市科技局支持的重大產學研項目基地——“廣州市LED工業研究開發基地”正式在我校落成。
2007年11月26日至28日，由中國有色金屬學會主辦、華南師範大學光電子材料與技術研究所與廣州市LED工業研究開發基地共同承辦的第十屆全國MOCVD會議在廣州華泰賓館隆重召開。
2007年11月26日下午中科院王啟明院士蒞臨我校廣州市LED工業研究開發基地參觀指導。
2007年12月7日上午，半導體材料物理專家秦國剛院士受聘我校雙聘院士儀式在我校石牌校區校部七樓第二會議室舉行。秦院士任光電子材料與技術研究所學術委員會主任。
2008年2月20日，廣東省科技廳於2月20日公布了《關於簽定2007年粵港關鍵領域重點突破中標項目契約的通知》（粵科函高字〔2008〕125號），我所范廣涵教授主持申報的“發光二極體（LED）外延片材料和生長方法”項目獲準立項，立項經費為200萬元。這是我校首次以第一申報單位獲批粵港關鍵領域重點突破招標項目。
2008年3月26日，《南方日報》專稿介紹我校LED重大研發成果。
2009年11月與廣州花都區的鴻利光電進行LED產業方面的合作研究。
