3D記憶體晶片

3D記憶體晶片是通過3D封裝技術，將多層DRAM堆疊而成的新型記憶體。3D記憶體晶片能提供很高的記憶體容量和記憶體頻寬，其中混合記憶體立方體（Hybrid Memory Cube）和高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory）是兩種新型的3D記憶體技術 。 其中混合記憶體立方體，由美光公司提出，與CPU的數據傳輸速度將是現階段記憶體技術的10倍以上，以便適應高速發展的處理器和寬頻網路。

研發

3D記憶體晶片

在2011年6月，三星和美光牽頭，聯合了Altera、OpenSilicon、Xilinx等，成立了HybridMemoryCubeConsofrtin（混合立方記憶體晶片聯盟）。旨在通過多方的合作，將新的記憶體技術混合立方記憶體晶片推向市場。

隨後，IBM、Microsoft、惠普、ARM、海力士相繼加入 75名預期將成為聯盟套用者的成員。HMCC現已對超過90家表示興趣的潛在套用者成員進行了答覆。

HMCC開發團隊計畫向越來越多加入該聯盟的“套用者”提交一份接口規範草案。隨後，融合了開發者和套用者的團隊將推敲該草案並在2012年底發布該接口規範的定稿。

效能

由於在存儲晶片堆疊時使用了IBM的TSV(through-siliconvia；過孔矽) 技術，相同面積的晶片將獲得10倍於傳統晶片的存儲容量。與此同時，由於採用了某些內建機制，傳輸數據消耗的能量將減少70%，傳輸速度也將提升到標準DDR3晶片的15倍左右。現有產品原型的頻寬就已高達128GB/s，為高端DDR3快閃記憶體傳輸速度的10倍，最終成品還會更高。

市場

HMC的特性將為各種廣泛的套用提供高性能的存儲解決方案，套用範圍從工業產品到高性能計算和大規模網路。根據官方解釋，HMC記憶體最初將定位於工業企業伺服器市場，但隨著技術的發展和成本的降低終將進入消費級市場 。