鹵化鉿.四氯化鋯是製備金屬鋯的重要原料。四氯化鋯為白色晶體粉末，在604K升華，密度2.8，在潮濕空氣中產生鹽酸煙霧，遇水劇烈水解：
基本簡介
對於每一代半導體技術節點而言，在儘可能保持原有生產製造工藝流程不變的前提條件下，尺寸的縮小無疑將提高CMOS器件的性能。自從1947年發明固態電晶體以來，在整個IC器件結構中，以SiO2為基礎的電晶體柵極絕緣層最為關鍵。它的功能是將電晶體溝道和柵電極兩者絕緣隔離，而等效氧化層厚度（EOT）與材料的介電常數k成反比。為了不斷提高電晶體性能表現需要更薄的EOT，這也導致了漏電流不斷增大。在過去的50年裡，業界已經成功地將SiO2為基礎的電晶體柵極絕緣層減薄到了幾十埃的厚度。近年來更是成功的採用氮化處理技術，獲得了介電常數更高的SiON薄膜柵極絕緣層。採用更高k值薄膜能夠在不斷降低EOT的同時，確保有足夠的絕緣材料厚度來減少漏電流。
目前，縮減SiON薄膜的厚度也已經達到了材料的物理極限；要想進一步提升器件性能，只能通過採用新材料和/或改變器件結構來實現。到了45nm技術節點，一些前沿的邏輯電路製造商宣布將引入鉿基
高k絕緣材料來取代SiON薄膜，無疑這是自現代電晶體發明以來，在柵氧絕緣材料領域的第一次重大的變革。為了實現這一目標，科學人員用了十年的時間，克服了大量的困難和挑戰，大海撈針般從各種備選材料中挑出確實可靠的解決方案。綜合考慮了材料的介電常數和熱力學穩定性等物理特性以及極化和固定電荷等電學特性後，研究人員將目光鎖定在了鉿基氧化物和它的相關化合物上。早期對這種材料的研究表明，由於費米能級釘扎效應和電晶體反型時伴隨EOT增厚而產生的多晶矽耗盡效應等方面的負面影響，多晶矽柵電極必須被金屬柵電極取代。1,2經過長時間的研究、最佳化和試生產測試，現在高k絕緣材料/金屬柵電極技術已經成功被用於量產中了，這無疑是具有劃時代意義的。
