髮狀晶體

對髮狀晶體的成核和生長機理的深入理解能夠更好地控制結晶過程。法國科學家Puel等人對四種工業化生產的有機分子生長進行了實驗研究,並從分子尺度和巨觀尺度對針狀晶體的結晶機理進行了分析。研究發現,在過飽和度比較低的情況下,這些有機晶體在側面上層與層之間的生長速度非常緩慢;當過飽和度足夠高的時候,晶體的生長和二次成核發生了競爭。電子顯微鏡和原子力顯微鏡結果表明,針狀晶體團聚的發生是由於其在各自組分上的定向結晶所致。當過飽和度較高時,成核過程非常迅速和隨機。這些結果對於理解針狀晶體獨特的結晶機理提供了有用信息,其中結晶開始時的過飽和度和在晶體表面發生二次成核時的臨界過飽和度在結晶器運行過程中是非常重要的。

基本簡介

許多有機分子所特有的各向異性的結構性質導致其生成晶體的針狀結構。從溶液中進行結晶是在化學和製藥工業中一種經常被使用的分離方法,而這種針狀晶體的晶習卻往往是不希望得到的,因為過高的長徑比會給下游工藝操作帶來很多問題。

對髮狀晶體的成核和生長機理的深入理解能夠更好地控制結晶過程。法國科學家Puel等人對四種工業化生產的有機分子生長進行了實驗研究,並從分子尺度和巨觀尺度對針狀晶體的結晶機理進行了分析。研究發現,在過飽和度比較低的情況下,這些有機晶體在側面上層與層之間的生長速度非常緩慢;當過飽和度足夠高的時候,晶體的生長和二次成核發生了競爭。電子顯微鏡和原子力顯微鏡結果表明,針狀晶體團聚的發生是由於其在各自組分上的定向結晶所致。當過飽和度較高時,成核過程非常迅速和隨機。這些結果對於理解針狀晶體獨特的結晶機理提供了有用信息,其中結晶開始時的過飽和度和在晶體表面發生二次成核時的臨界過飽和度在結晶器運行過程中是非常重要的。

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